用红外激光脉冲触发半绝缘GaAs光电导开关的实验研究

• 作者: 张显斌 施卫 李琦 赵卫 陈二柱
• 来源期刊: 强激光与粒子束
• 学科: 工学
• 关键词: 光电导开关 半绝缘GaAs EL2能级 非本征吸收
• 年，卷（期）: 2002,（6）
• 所属期刊栏目: 高功率激光与光学
• 页码范围: 815-818
• 页数: 4页
• 分类号: TN29
• 字数: 3135字
• 语种: 中文

摘要

报道了用光子能量低于GaAs禁带宽度的红外激光脉冲,触发电极间隙为3mm和8mm的半绝缘GaAs光电导开关的实验结果.使用单脉冲能量为1.9mJ的1 064nm Nd:YAG激光触发开关, 在偏置电压分别为3kV和5kV条件下,光电导开关分别工作于线性和非线性模式.用900nm半导体激光器和1 530nm掺铒光纤激光器分别进行触发实验,得到了重复频率分别为5kHz和20MHz的电脉冲波形.结果表明,半绝缘GaAs光电导开关可以吸收大于本征吸收限波长红外激光脉冲.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张显斌	西安理工大学应用物理系	29	407	10.0	19.0
2	施卫	西安理工大学应用物理系	85	925	17.0	25.0
3	赵卫	中国科学院瞬态光学技术国家重点实验室	130	1414	20.0	30.0
4	李琦	西安理工大学应用物理系	52	753	15.0	25.0
5	陈二柱	西安理工大学应用物理系	3	25	2.0	3.0