非线性光导开关中的高场畴机制

• 作者: 刘鸿
• 来源期刊: 成都大学学报（自然科学版）
• 关键词: 空间电荷 多能谷结构 转移电子效应 高场畴 畴电子崩
• 年，卷（期）: 2007,（3）
• 页码范围: 228-231
• 页数: 4页
• 分类号: TN015
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1004-5422.2007.03.014

摘要

应用多能谷结构的转移电子效应结合畴动力学分析探讨了高场畴的形成和发展的微观过程,在此基础上把非线性光导开关中观察到的重要特征现象--电流丝与气体放电中的放电现象相比较,合理地提出了一个重要的物理模型:畴电子崩.这一概念是系统全面地描述非线性光导开关的物理机制的基础.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘鸿	成都大学电子信息工程学院	22	41	3.0	5.0