离子束外延生长半导体性锰硅化合物

• 作者: 何宏家 刘志凯 廖梅勇 杨君玲 杨少延 柴春林 陈诺夫
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体性锰硅化物 硅单晶 质量分析的低能离子柬
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1429-1433
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.054
• 字数: 3554字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.016

摘要

利用质量分析的低能双离子束外延技术得到了半导体性的锰硅化物,Mn27Si47和Mn15Si26.俄歇电子谱深度组分测量结果表明,在单晶Si的表面淀积了一薄层厚度约为37.5nm的Mn,另一部分Mn离子成功注入进Si基底里,注入深度为618nm.在840℃条件下在流动N2气氛中对生长样品进行退火,X射线衍射结果表明退火后Mn27Si47和Mn15Si26结晶更好.