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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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211. 6H-SiC高压肖特基势垒二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长，在此结构材料上，通过热蒸发,制作Ni/6H-SiC肖特基势垒二极管．测量并分析了肖特基二极管的电学特性，结果表明，肖...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 用MOCVD方法生长了InGaAs/InGaAsP多量子阱微碟激光器外延片，用光刻、干法刻蚀和湿法刻蚀等现代化的微加工技术制备出直径9.5μm的InGaAs/InGaAsP微碟激光器，并详细...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 在分析全串行和全并行GF(2k)域乘法的基本原理基础上提出了一种适合于任意GF(2k)域的乘法器UHGM(Unified Hybrid Galois Field Multiplier)．它为...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 提出了一种适用于LVDS驱动器的电荷泵锁相环(PLL)多相时钟生成器的设计方法，特别是在压控环形振荡器(VCO)设计中采用了高温度补偿和高电源抑制比的新技术，使得VCO的固定频率基本不受温度...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 提出了一种新的用于测试CMOS输出驱动器电流变化率的电路结构．它把片上电感引入到测试系统中作为对实际封装寄生电感的等效，从而排除了测试时复杂的芯片-封装界面的影响．这种电路结构不仅可以用于实...
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216. ULSI互连系统热特性的模拟刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 应用基于有限元算法的软件ANSYS对0.15μm工艺条件下的一个ULSI电路的五层金属互连结构进行了热特性模拟和分析．模拟了这个经多目标电特性优化了的互连结构在采用不同金属(Cu或Al)互连...
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217. TEA密码算法的VLSI实现刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 提出了两种实现TEA的结构，并采用其中一种结构设计了TEA加解密处理器电路模块，将其成功地应用在非接触的智能IC卡中．该加解密处理器硬件模块可分别实现加密和解密运算，循环迭代次数具有可编程特...
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218. ULSI铜互连线技术中的电镀工艺刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年8期页码:摘要： 通过对电镀液中加入适当的整平剂和采用三步电流法，成功地将工业镀铜技术应用于ULSI铜互连线技术中，实现了对高宽比为1μm∶0.6μm的刻孔的无空洞、无裂缝填充．方阻测试表明，所镀铜膜的电阻率...
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219. 分子束外延生长高应变单量子阱激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 采用分子束外延方法研究了高应变InGaAs/GaAs量子阱的生长技术.将InGaAs/GaAs量子阱的室温光致发光波长拓展至1160nm,其光致发光峰半峰宽只有22meV.研制出1120nm...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 提出了RESURF LDMOS功率器件的表面电场分布和击穿电压的解析模型.根据二维泊松方程的求解,得到了与器件参数和偏压相关的表面电场和电势分布解析表达式.在此基础上,推出了为获得击穿电压和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 用二维模拟软件ISE研究了典型的70nm高K介质MOSFETs的短沟性能.结果表明,由于FIBL效应,随着栅介质介电常数的增大,阈值电区减小,而漏电流和亚阈值摆幅增大,导致器件短沟性能退化....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 将条宽为100μm,有源区厚度为1μm的大功率激光二极管(LD)的输出光束高效地耦合到芯径是50μm的多模光纤中,得到了高亮度、高功率密度的光纤输出.功率密度高达3.6×104W/cm2,耦...
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223. 多孔硅上生长Ge量子点的光学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 采用量子尺寸的多孔硅作为衬底,利用区域优先成核在多孔硅表面上成功地生长了Ge量子点.由于量子限制效应锗的PL谱发生了明显的蓝移,计算表明在傅里叶红外光谱中观察到的中红外(5-6μm)吸收峰是...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 利用椭圆偏振仪(EL)、傅里叶红外光谱(FTIR)研究了Si1-x-yGexCy合金分别在900℃和1000℃干氧气氛下形成氧化物的生长动力学.结果表明:在900℃氧化时,随着合金中的替代碳...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 提出了锗硅材料禁带宽度随锗含量、温度及掺杂浓度变化的经验公式,改善了以往经验公式局限性较大的缺点,拓宽了公式的使用范围.分析并计算了不同温度、掺杂浓度以及不同材料的禁带变窄量,与实验数据进行...
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226. 用光电流谱研究多孔硅微腔的光电特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 利用光电流谱对全硅基多孔硅微腔的吸收特性进行了研究,在光电流谱中观察到λ1=742nm主峰.同时也对多孔硅微腔的PL谱和单层多孔硅的光电流谱进行了测量,结合有效折射率方法和菲涅耳公式,对照P...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： Ge-SiO2共溅射薄膜分别在O2、N2和空气中退火后,在Xe灯250nm线激发下,均观测到位于400和300nm的紫、紫外光发射(PL).傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)表明,这两个PL...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比...
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229. 富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶,其电阻率为107Ω*cm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,且能将注入其中的部分电荷储存起来.分析认为,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 研究了粗糙界面对电子隧穿超薄栅金属-氧化物-半导体场效应晶体管的氧化层的影响.对于栅厚为3nm的超薄栅MOS结构的界面用高斯粗糙面进行模拟来获取界面粗糙度对直接隧穿电流的影响,数值模拟的结果...
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231. SOI器件中瞬态浮体效应的模拟与分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 针对SOI器件中的瞬态浮体效应进行了一系列的数值模拟,通过改变器件参数,比较系统地考察了SOI器件中瞬态浮体效应,同时也研究和分析了瞬态浮体效应对CMOS/SOI电路(以环振电路为例)的影响...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 报道了一个含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型.该模型能自动计入体耗尽条件,不需要分类考虑不同膜厚时的情况.模型计算结果与实验吻合较好.该模型物理意义明确,参数提取方便,适合于抗辐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 根据4H-SiC高饱和电子漂移速度和常温下杂质不完全离化的特点,对适用于Si和GaAs MESFET的直流I-V特性理论进行了分析与修正.采用高场下载流子速度饱和理论,以双曲正切函数作为表征...
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234. 光导开关工作模式与偏置电压的关系刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 通过建立半绝缘GaAs光导开关(PCSS's)的瞬态二维模型,获得了不同偏置条件下器件内电场、电流密度等电参量的空间分布及器件中最大电场和输出电流随时间的变化关系.所获得的主要特性与实验观察...
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235. 谐振隧穿二极管的直流模型及其双稳态特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 研制成的在常温下工作的谐振隧穿二极管(RTD),峰谷比达到了5∶1,最高振荡频率为26.3GHz.采用基于物理意义的电流-电压方程,利用通用电路模拟软件PSPICE,建立了其直流电路模型,模...
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236. 聚合物发光器件中输运特性的模拟分析刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 对聚合物发光二极管I-V特性的测量发现,被测器件内存在着类似于某些无机器件中的负阻现象和"迟滞回线”状场致漂移的伏安特性.模拟分析表明,一种反向势垒的存在及其击穿,应是引起负阻现象的原因.缺...
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237. 硅压阻输出微传感器的1/f噪声刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 从理论和实验上系统地讨论了压阻输出微传感器的噪声.选用了单晶硅、非晶硅、多晶硅和微晶硅四种材料作为压阻材料,设计了16种不同尺寸的力敏Wheastone电桥,并对器件分别进行了两种不同浓度的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 给出了低电压微波SiGe功率异质结双极型晶体管(HBT)的器件结构和测试结果.器件结构适于低压大电流状态下应用.采用了梳状发射极条的横向版图设计,其工作电压为3-4V.在C类工作状态,1GH...
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239. 一种改进的高精度电流型排序电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 提出了一种改进的高精度电流型排序电路.它的结构复杂性仅为O(N),便于扩展;动态范围大;它是自适应的,工作点由输入电流确定,故不需要偏置信号,这对作为通用器件使用的排序电路来说是很重要的.通...
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240. 一种新的梳状基区RF功率晶体管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年9期页码:摘要： 给出一种新的RF功率器件结构-梳状基区结构.在不增加本征集电结面积的情况下,该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性,增大器件的耗散功率和输出功率,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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