富镉CdSe单晶的气相生长及其电学特性

• 作者: 于丰亮 宋芳 朱世富 李奇峰 王雪敏 赵北君 邵双运 金应荣
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 气相生长 CdSe单晶 电子陷阱
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1139-1142
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 2455字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.011

摘要

用改进的垂直气相法生长的富镉CdSe单晶,其电阻率为107Ω*cm量级,电子陷阱浓度为108cm-3量级,且能将注入其中的部分电荷储存起来.分析认为,晶体的高电阻率及储存电荷的能力都是由Se空位引起的.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	邵双运	四川大学材料科学系	12	136	8.0	11.0
4	金应荣	四川大学材料科学系	8	31	4.0	5.0
5	李奇峰	四川大学材料科学系	7	31	4.0	5.0
6	宋芳	四川大学材料科学系	11	58	5.0	7.0
7	王雪敏	四川大学材料科学系	8	22	3.0	4.0
8	于丰亮	四川大学材料科学系	5	46	5.0	5.0