大尺寸硒化镉单晶生长及性能表征

• 作者: 张颖武 程红娟 练小正
• 来源期刊: 天津科技大学学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdSe 大尺寸 单晶 PVT法
• 年，卷（期）: 2015,（6）
• 所属期刊栏目: 【化工与材料】
• 页码范围: 34-37
• 页数: 4页
• 分类号: O782+.7
• 字数: 2376字
• 语种: 中文
• DOI: 10.13364/j.issn.1672-6510.20150077

摘要

硒化镉(CdSe)是一种光学和电学性能优异的Ⅱ-Ⅵ族半导体材料．以硫化镉(CdS)晶片作为籽晶，采用物理气相传输(PVT)法生长出大尺寸 CdSe 单晶，并对其晶体结构和光学性能进行了表征．EDS 和 Raman 测试显示，在晶体生长初期形成了 CdSexS1-x，随着晶体生长硫元素含量逐渐减少并最终消失，最终生长出的 CdSe 材料为纯相的纤锌矿型CdSe晶体材料．XRD测试显示CdSe晶体的晶格完整性较高．以上结果表明，PVT法是一种理想的大尺寸CdSe单晶生长方法．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	程红娟	中国电子科技集团公司第四十六研究所	44	47	4.0	5.0
2	张颖武	中国电子科技集团公司第四十六研究所	14	16	2.0	3.0
3	练小正	中国电子科技集团公司第四十六研究所	10	9	1.0	2.0