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采用0.25μm CMOS工艺、适用于LVDS驱动器的高性能多相时钟生成器的设计
采用0.25μm CMOS工艺、适用于LVDS驱动器的高性能多相时钟生成器的设计
作者:
朱江
洪志良
陈钰
基本信息来源于合作网站,原文需代理用户跳转至来源网站获取
锁相环
多相时钟生成器
环形压控振荡器
温度补偿
电源抑制比
摘要:
提出了一种适用于LVDS驱动器的电荷泵锁相环(PLL)多相时钟生成器的设计方法,特别是在压控环形振荡器(VCO)设计中采用了高温度补偿和高电源抑制比的新技术,使得VCO的固定频率基本不受温度和电源电压变化的影响.采用UMC的0.25μm CMOS工艺模型,在Cadence的环境下用spectreS仿真器模拟,结果表明设计的PLL对于不同的PVT:SSS、TTT、FFF、SFS、FSF(头两个字母表示工艺变化引起的模型参数的变化,第三个字母表示系统工作条件:T为75℃,3.3V;S为125℃,3.0V;F为0℃,3.6V),均能得到符合标准要求的7相时钟信号,其中VCO固定频率所对应的温度系数为32ppm/℃,电源反射比为0.2%/V.
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总线LVDS驱动器电路设计
总线驱动器
多点数据传输
电流模式
LVDS技术
低功耗
一种适用于FPGA的可配置、兼容多标准差分驱动器电路
FPGA
可配置
兼容多标准
差分驱动器
内容分析
文献信息
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内容分析
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关键词热度
相关文献总数
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文献信息
篇名
采用0.25μm CMOS工艺、适用于LVDS驱动器的高性能多相时钟生成器的设计
来源期刊
半导体学报
学科
工学
关键词
锁相环
多相时钟生成器
环形压控振荡器
温度补偿
电源抑制比
年,卷(期)
2001,(8)
所属期刊栏目
研究论文
研究方向
页码范围
1069-1074
页数
7页
分类号
TN402
字数
2750字
语种
中文
DOI
10.3321/j.issn:0253-4177.2001.08.024
五维指标
作者信息
序号
姓名
单位
发文数
被引次数
H指数
G指数
1
洪志良
复旦大学电子工程系
161
1248
18.0
29.0
2
陈钰
复旦大学电子工程系
8
55
6.0
7.0
3
朱江
复旦大学电子工程系
4
27
3.0
4.0
传播情况
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引文网络
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引证文献(0)
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二级引证文献(4)
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引证文献(0)
二级引证文献(3)
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引证文献(0)
二级引证文献(2)
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引证文献(0)
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引证文献(0)
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研究主题发展历程
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多相时钟生成器
环形压控振荡器
温度补偿
电源抑制比
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
半导体学报(英文版)
主办单位:
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
出版周期:
月刊
ISSN:
1674-4926
CN:
11-5781/TN
开本:
大16开
出版地:
北京912信箱
邮发代号:
2-184
创刊时间:
1980
语种:
eng
出版文献量(篇)
6983
总下载数(次)
8
总被引数(次)
35317
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