氧气中退火Ge-SiO2共溅射薄膜的强紫光发射

• 作者: 吴兴龙 沈今楷 袁仁宽 谭超 鲍希茂
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 光致发光 磁控溅射 傅里叶变换红外吸收谱
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1131-1134
• 页数: 4页
• 分类号: O433.5
• 字数: 2405字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.009

摘要

Ge-SiO2共溅射薄膜分别在O2、N2和空气中退火后,在Xe灯250nm线激发下,均观测到位于400和300nm的紫、紫外光发射(PL).傅里叶变换红外吸收谱(FT-IR)表明,这两个PL峰与锗氧化物紧密相关.进一步的光致发光激发谱(PLE)则证实它们来源于GeO色心的光学跃迁.对比不同退火气氛下的PL强度,发现最强的光发射出现在800℃氧气里退火的样品中.这表明,退火气氛中氧的存在,能够增强Ge-SiO2共溅射薄膜的紫、紫外光发射,是一种增强光发射强度的新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	鲍希茂	南京大学物理系	14	75	6.0	8.0
2	沈今楷	南京大学物理系	3	22	3.0	3.0
3	吴兴龙	南京大学物理系	12	63	5.0	7.0
4	袁仁宽	南京大学物理系	8	36	4.0	5.0
5	谭超	南京大学物理系	2	13	2.0	2.0