纳米Ge-SiO2薄膜对1342nm激光的被动调Q

• 作者: 张培 杨先才 王加贤 王燕飞
• 来源期刊: 华侨大学学报（自然科学版）
• 关键词: 激光技术 Nd∶ YVO4激光器 纳米锗镶嵌二氧化硅薄膜 被动调Q 可饱和吸收体
• 年，卷（期）: 2011,（4）
• 所属期刊栏目: 学术论文
• 页码范围: 385-388
• 分类号: O436
• 语种: 中文

摘要

采用射频磁控溅射技术和热退火处理方法制备纳米锗镶嵌二氧化硅( Ge-SiO2)薄膜.利用光吸收谱和X射线衍射谱对薄膜材料进行表征,得到薄膜的光学带隙为1.12 eV,纳米Ge晶粒的平均尺寸约为16.4 nm.将纳米Ge-SiO2薄膜作为可饱和吸收体插入激光二极管泵浦的平-凹腔Nd∶YVO4激光器内,实现1 342 nm激光的被动调Q运转,获得脉冲宽度约为40 ns,重复频率为33.3 kHz的调Q脉冲序列输出.根据实验现象并结合薄膜结构,认为纳米Ge-SiO2薄膜的界面态和缺陷态是产生调Q的主要原因.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
2	杨先才	华侨大学信息科学与工程学院	4	3	1.0	1.0
3	王燕飞	华侨大学信息科学与工程学院	6	5	2.0	2.0
4	张培	华侨大学信息科学与工程学院	6	10	2.0	2.0