纳米半导体复合薄膜的非线性光学性质及其在激光器中的应用

• 作者: 吴志军 张培 林正怀 王加贤
• 来源期刊: 光学精密工程
• 学科: 工学
• 关键词: 半导体复合薄膜 Ge-SiO2薄膜 Ge/Al-SiO2薄膜 非线性吸收 被动调Q 被动锁模
• 年，卷（期）: 2013,（1）
• 所属期刊栏目: 现代应用光学
• 页码范围: 20-25
• 页数: 6页
• 分类号: O484.41|TN248.1
• 字数: 2614字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3788/OPE.20132101.0020

摘要

采用射频磁控溅射技术制备了Ge掺二氧化硅(Ge-SiO2)和Ge,Al共掺二氧化硅(Ge/Al-SiO2)两种复合薄膜,并进行了热退火处理形成了纳米Ge镶嵌结构.通过紫外-可见吸收谱测量,确定了两种薄膜中纳米Ge的光学带隙,并采用皮秒激光Z-扫描技术研究了薄膜的非线性光学性质.测试结果显示,在1 064 nm激发下得到的Ge-SiO2和Ge/Al-SiO2薄膜的非线性吸收系数分别为-1.23×10-7 m/V和4.35×10-8 m/W,前者为饱和吸收,而后者为双光子吸收.把两种薄膜作为可饱和吸收体均可实现1.06 μm激光的被动调Q和被动锁模运转.与Ge-SiO2薄膜比较,采用Ge/Al-SiO2薄膜可以获得较窄的调Q脉冲和锁模脉冲.最后,理论分析和实验比较了两种薄膜实现被动调Q和锁模的机理.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	王加贤	华侨大学信息科学与工程学院	81	268	9.0	12.0
2	吴志军	华侨大学信息科学与工程学院	17	33	3.0	4.0
3	林正怀	华侨大学信息科学与工程学院	4	9	2.0	3.0
4	张培	华侨大学信息科学与工程学院	6	10	2.0	2.0