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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 采用LP-MOVPE在SiO2掩膜的InP衬底上实现了高质量的InGaAsP多量子阱(MQW)的选择区域生长(SAG).通过改变生长温度和生长压力，MQW的适用范围由C波段扩展至L波段，即M...
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122. 碲镉汞的液相外延生长刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 设计了一种使用良好的石墨舟，建立了一套能进行开管液相外延的系统，并利用此系统在CdZnTe衬底上和在富Te的生长条件下生长了不同x值的HgCdTe外延薄膜.通过对外延生长工艺的控制，外延薄膜...
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123. 注F短沟MOSFET的沟道热载流子效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 通过对短沟NMOSFET的沟道热载流子效应研究，发现在短沟NMOSFET栅介质中引入F离子能明显抑制因沟道热载流子注入引起的阈电压正向漂移和跨导下降以及输出特性曲线的下移.分析讨论了F抑制沟...
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124. 凹槽深度与槽栅PMOSFET特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 基于能量输运模型对由凹槽深度改变引起的负结深的变化对深亚微米槽栅PMOSFET性能的影响进行了分析，对所得结果从器件内部物理机制上进行了讨论，最后与由漏源结深变化导致的负结深的改变对器件特性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 基于流体动力学能量输运模型，对沟道杂质浓度不同的深亚微米槽栅和平面PMOSFET中施主型界面态引起的器件特性的退化进行了研究.研究结果表明同样浓度的界面态密度在槽栅器件中引起的器件特性的漂移...
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126. 低波长漂移的电吸收调制DFB激光器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 采用端面有效反射率法，从理论上计算了单片集成电吸收调制DFB激光器（Electroabsorption Modulated DFB Laser,EML）的腔面反射率、耦合强度（κL）对其波长...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 采用准分子脉冲激光沉积(PLD)工艺，制备了Au／PZT／p-Si结构铁电存储二极管.在氧气氛350℃低温沉积、原位530℃快速退火工艺条件下，获得了多晶纯钙钛矿结构的Pb（Zr0.52Ti...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 三维全热程热电一体地模拟了Si BJT微波功率器件.热场计算包括从芯片的有源区经芯片-粘接层-基片-粘接层-底座直到固定于70℃的安装台面的整个散热过程.在处理热电正反馈时把有源区的60个基...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 基于半导体光放大器处于放大和激射之间的临界状态，实现了同相波长转换，转换后光信号与泵浦光信号有相同的比特系列.运用放大器中存在的自发辐射光子诱发的受激辐射和入射信号光子诱发的受激辐射之间的竞...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 介绍了干氧和氢氧合成两种不同栅氧化方式下制作的N沟输入CMOS运算放大器电路的电离辐照响应特征.并通过对电路内部单管特性损伤分析的比较，探讨了引起两者辐照敏感性差异的原因.结果显示，氢氧合成...
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131. 0.5μm SOI CMOS器件和电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 研究了0.5μm SOI CMOS器件和电路，开发出成套的0.5μm SOI CMOS工艺.经过工艺投片，获得了性能良好的器件和电路，其中当工作电压为3V时，0.5μm 101级环振单级延迟...
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132. 采用遗传算法的一种可重构ANN的电路设计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 提出了一种新型的sigmoid函数发生器.它不仅简单、快速，与理想sigmoid函数的拟合程度好，而且可实现阈值和增益因子的编程，因而有很大的应用范围和良好的应用前景.设计了神经元以及Gil...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 在一种基于望远镜搜索的块匹配运动估值的VLSI实现中，对用于加速搜索的传统心动阵列引擎进行了结构上的改进，从而能够显著地降低功耗.方法是使用一种新的块匹配误差计算的提早跳出技术，并通过在阵列...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了N...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 系统地研究了快速热退火对带有3nmInxGa1-xAs(x＝0,0.1,0.2)盖层的3nm高的InAs/GaAs量子点发光特性的影响.随着退火温度从650℃上升到850℃,量子点发光峰位的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 通过硅(111)衬底淀积的单层Co或Co/Ti双金属层在不同退火温度的固相反应,在硅上形成制备了多晶和外延CoSi2薄膜.用电流-电压和电容-电压(I-V/C-V)技术在90K到室温的温度范...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 利用光电流谱,结合X射线双晶衍射研究了快速退火对Si1-xGex/Si多量子阱p-i-n光电二极管的影响.由于应变SiGe的部分弛豫和Si-Ge互扩散,退火后的二极管的截止波长有显著的减小....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出了一个新的二维解析方法预言场限环结构的电压分布和边界峰值电场及环间距优化.采用与平面结物理机理最接近的圆柱坐标对称解进行分析,给出了场限环结构极为简单的各电压和边界峰值电场表达式. 讨论...
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139. DC-20GHz射频MEMS开关刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 描述了DC-20GHz射频MEMS开关的设计和制造工艺.开关为一薄金属膜桥组成的桥式结构,形成一个单刀单掷(SPST)并联设置的金属-绝缘体-金属接触.开关通过上下电极之间的静电力进行控制,...
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140. GaAs太阳电池的质子辐照和退火效应刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对AlGaAs/GaAs太阳电池进行了质子辐照和热退火实验.质子辐照的能量为325keV,辐照的剂量为5×1010-1×1013cm-2.实验结果表明,质子辐照造成了GaAs太阳电池光伏性能...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 采用Huybrechts线性组合算符和变分法,讨论了晶格热振动对极性半导体膜中电子-表面光学(SO)声子强耦合和电子-体纵光学(LO)声子弱耦合体系的影响,得到了极化子自陷能随膜厚和温度变化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 用分子束外延系统(MBE)生长了GaAs/AlGaAs非对称耦合双量子阱(ACDQW),用组合离子注入的方法,在同一块衬底上获得了不同注入离子As+、H+和不同注入剂量的GaAs/AlGaA...
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143. SiC纳米棒光学声子的喇曼光谱刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 报道了用光谱的手段研究SiC纳米棒(NR)的结果.对于在实验中观察到LO模的大幅度红移及新出现的喇曼峰,认为在类似SiCNR的存在大量缺陷的极性纳米材料中,结构缺陷对材料特性的影响比量子限制...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 利用SIMS分析技术,研究了在InGaAlP和GaP材料中,MOCVD工艺参数对Mg的掺杂行为的影响.实验结果表明,在较高温度下,Mg在生长表面的再蒸发决定了Mg的掺杂浓度随衬底温度增加呈指...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 提出一种采用微分电导法(R□)分别检测实验样品和陪测样品的R□,同时引入α和αn因子分别评估自掺杂多晶硅生长前Si表面清洗状况(SIS层厚度)和自掺杂多晶硅生长后退火或后续高温多晶硅杂质载流...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 研究了溅射Ti/Al/Ti/Au四层复合金属与AlGaN/GaN的欧姆接触特性,并就环境温度对欧姆接触特性的影响进行了分析研究.试验证实:溅射的Ti/Al/Ti/Au与载流子浓度为2.24×...
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147. 边缘阻尼对横向振动微谐振器品质因子的影响刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 对微结构而言,空气表面层阻尼计算模型一般用库特模式(Couette-type)和斯托克斯模式(Stocks-type),但是已报道的模型计算所得到Q值最小误差范围只能达到10%-20%.论文...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 用X射线光电子能谱对MOCVD生长的未故意掺杂GaN单晶薄膜进行N、Ga组份测试,同时用RBS/Channeling、Hall测量和光致发光技术对样品进行结晶品质及光电性能研究.结果表明N含...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 论述了从硅熔体中生长3C-SiC晶体过程中6H-SiC晶型控制的一般原理.采用将硅置于高纯石墨坩埚中使其在高温条件下熔化,坩埚内壁石墨自然熔解于硅熔体中形成碳饱和的硅熔体,在石墨表面形成厚约...
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150. N型6H-SiC MOS电容的电学特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年6期页码:摘要： 在可商业获得的N型6H-SiC晶片上,通过化学气相淀积,进行同质外延生长,在此结构材料上,制备MOS电容.详细测量并分析了6H-SiCMOS电容的电学特性,其有效电荷密度为4.3×1010c...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
该刊被以下数据库收录
| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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