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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
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35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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91. 微波晶体管散射矩阵的数值计算刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了一种计算半导体器件散射矩阵的方法，该方法采用数值分析技术，把描述有源半导体器件的泊松方程和电流连续性方程与描述输入输出匹配网络的电报方程联立求解，得到了晶体管端点电压和端点电流随时间的...
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92. 微机械热对流加速度计刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 介绍了基于流体运动的加速度计的原理和制作．它的原理是自然对流受到加速度信号而产生对流形变，从而产生温度差，由这个温度差感应了加速度、倾斜、位置变化．这种加速度计由一个充有流体的密闭腔体组成，...
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93. CMOS源极跟随缓冲电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出用CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载．HSPICE模拟结果表明，在负载电容为基本栅电容的100倍及6000倍时,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路...
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94. 0.1μm T型栅PHEMT器件刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 通过电子束和接触式曝光相结合的混合曝光方法，并利用复合胶结构，一次电子束曝光制作出具有T型栅的PHEMT器件，并对0.1μm栅长PHEMT器件的整套工艺及器件性能进行了研究．形成了一整套具有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用离散谱折射率法对深刻蚀GaAs/GaAlAs多层脊形光波导的特性作了详细的理论分析，并对所获得的较大截面、低损耗的单模脊形光波导的制作容差性作了进一步的分析．计算表明，用离散谱折射率法获...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了沟道热载流子应力所引起的SOI NMOSFET的损伤．发现在中栅压应力（Vg≈Vd／2）和高栅压应力（Vg≈Vd）条件下，器件损伤表现出单一的幂律规律；而在低栅压应力（Vgs≈Vth）...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了两种压控振荡器，一种为差分形式，另一种为压控环结构．采用CSMC公司0.6μm标准CMOS工艺进行模拟，后仿真的结果显示，压控环结构的最高频率达到2GHz，在5V电源下的功耗为7.5m...
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98. 模拟器件稳态热场正确性的判断方法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对稳态热场，二个水平剖面A和B所夹的薄层上的温差必须严格等于本文提出的平均值定理的计算值．当芯片、基片和底座的截面大小一样时，可以直接根据平均值定理计算出芯片、基片和底座的每一水平剖面上的平...
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99. 集成MOS力敏运放压力传感器刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 设计并制作出一种新型集成压力传感器——集成MOS力敏运放压力传感器．它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在N型(100)Si膜片上的最大应力区，并使它们的沟道方向相互垂直，运放中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对基于GaAs/AlGaAs系子带间吸收的一种新型量子阱红外探测器，采用Poisson方程和Schrodinger方程，计算了新器件结构的能带结构、电子分布特性，在此基础上采用热离子发射、热...
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101. 6H-SiC高反压台面pn结二极管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 在可商业获得的单晶6H-SiC晶片上，通过化学气相淀积，进行同质外延生长；并在此6H-SiC结构材料上，利用反应离子刻蚀和接触合金化技术，制作台面pn结二极管．详细测量并分析了器件的电学特性...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 作为集成电路的电阻单元，掺硼的多晶硅电阻在千欧级的范围内存在阻值不稳定性，尤其在金属连线下更为严重．分析了不同工艺条件下制作的多晶硅电阻电特性和晶格特性．结果表明，阻值的不稳定性主要由载流子...
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103. MARS：一个通用多层区域布线算法刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出一个VLSI多层区域详细布线算法，算法使用模拟进化技术进行拆线重布线，对单个线网则使用改进型多层迷宫算法进行布线。
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104. 用SQP时域优化高速互连线电路刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了一个基于特征法传输线网络建模和灵敏度分析的非线性高速互连线电路的时域优化设计方法．考虑到高速互连线电路设计的特性，一般其最优值只是在初值的较小邻域，提出用改进的序列二次规划法SQP优化...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 介绍国家自然科学基金2000年半导体学科基金申请与资助概况及近期走向，并附2000年半导体学科批准资助的面上及重点项目，供有关科学家参考。
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要：
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107. 高阻CdZnTe晶体的退火处理刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 获得高电阻率的、完整性好的CdZnTe晶体是研制高性能的CdZnTe γ射线探测器的关键.运用热力学关系估算了Cd1-xZnx熔体平衡分压，尝试以Cd1-xZnx合金源替代Cd源进行Cd0....
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要：
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 报道了带门极双层Si-δ-掺杂GaAs样品中的二维电子系统Hall效应的低温测量实验,观察到了电子耗尽过程中电子浓度与门电压的奇特、复杂的非线性关系.根据双电容器(由两个δ-掺杂二维电子层和...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 开展了使用TEOS和H2O混合物进行PECVD生长SiO2膜的研究工作.氧化硅折射率分布在1.453±0.001的范围，且随偏离中心距离基本不变.薄膜厚度是中央大，边沿薄，其厚度相对变化不超...
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111. 一种用于功率模块热分布特性研究的精确模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 应用有限元法，对一个IGBT功率模块的三维热分布进行了仿真研究，提出了通过ANSYS仿真建立热模型的基本方法，进而探讨了功率模块上各芯片之间的热耦合关系，提出了考虑热耦合效应在内的功率模块热...
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112. 槽栅MOS控制的晶闸管刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 报道了一种新结构的功率栅控晶闸管，称其为槽栅MOS控制的晶闸管（TMCT）.在该器件结构中，采用UMOS控制晶闸管的开启和关闭.结构中不存在任何的寄生器件，因此，消除了在其它结构的栅控晶闸管...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 现代芯片技术在集成度和速度方面的进步带来一系列热相关的问题，非均匀分布热源引起的局部热点很可能会使整个芯片失效.提出一种计算芯片温度分布的算法，采用边界元方法将三维问题转化为二维问题，这样可...
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114. 新型亚50纳米硅栅制作技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 提出并演示了一新型的低成本亚50纳米多晶硅栅制作技术.该技术的特点是它与光刻分辨率无关,即不需要高分辨率光刻技术.纳米尺度的栅掩膜图案是由台阶侧壁图形的转移所形成.实验结果表明,该技术制成的...
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115. InGaN光致发光性质与温度的关系刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质.发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 以磁控溅射方法于p-Si上淀积富硅二氧化硅，形成富硅二氧化硅／p-Si结构，用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N2气氛中退火，其光致发光(PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的PL谱有...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 采用数值方法研究了微重力条件下开口矩形容器内小Prandtl数镓（Ga）熔体生长过程中定常热毛细对流，讨论了Re数、几何纵横比A和侧壁外加温差的相对高度H对熔体内温度场和流场分布的影响.计算...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 以等离子体化学气相沉积法（PECVD）在300℃下用SiH4和O2混合气体制备了非晶SiOx∶H (a-SiOx∶H,0≤x≤2.0) 薄膜，并用傅里叶红外光谱（FT-IR）测试分析了薄膜中...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 利用两种不同激发波长进行Raman测量，研究了低碳含量a-Si1-xCx∶H(～＜20at.%)薄膜的结构特征.采用647.1nm激发时，由于激发光能量接近于各样品的光学带隙，因而在样品中具...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年5期页码:摘要： 采用MOCVD技术以Al2O3为衬底在GaN膜上生长了InGaN薄膜.以卢瑟福背散射/沟道（RBS/Channeling）技术和光致发光（PL）技术对InxGa1-xN/GaN/Al2O3样...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
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