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半导体学报(英文版)2001年出版文献
出版文献量（篇）
6983
总下载数（次）
8
总被引数（次）
35317
半导体学报(英文版)
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本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）
全国优秀期刊三等奖（92）
全国优秀期刊三等奖（97）
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
出版文献量（篇）
6983
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 设计了一种永磁（钕铁硼）环形磁场装置代替常规电磁场用于直拉炉生长单晶硅和掺锗单晶硅（PMCZ法）．磁力线呈水平辐射状均匀分布．只要磁场强度足够强，即可有效地抑制熔体中热对流和晶体旋转产生的离...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 立方GaAs（100）衬底上制备的GaN薄膜多为立方结构且立方相为亚稳相，采用水平常压MOCVD方法在立方GaAs（100）衬底上制备出了GaN薄膜．XRD测试表明，薄膜具有单一的相．结合对...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 研究了硼烷（B2H6）掺杂锗硅外延和磷烷（PH3）掺杂硅外延的外延速率和掺杂浓度与掺杂气体流量的关系．B浓度与B2H6流量基本上成正比例关系；生长了B浓度直至1019cm-3的多层阶梯结构，...
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64. 全电流模型的比例差分特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 用比例差分算符(PDO)方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域(亚阈区和饱和区)的比例差分特性．利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型，结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 从数值解源端和饱和点的表面电势出发，考虑模拟电路对SOI MOSFET模型的一些基本要求如电荷守恒、器件源漏本征对称、各个工作区间连续并且高阶可导以及全耗尽和部分耗尽两种工作模式的转变，构建...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 从光学传输矩阵方法出发,研究了分布布拉格反射器(DBR)生长顺序的不同对半导体平面微腔中电场振幅极大值位置及整个微腔选频特性的影响;同时指出了DBR对于λ0/2和λ0腔不同情况的最佳生长模式...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 利用比例差值方法给出了MOS器件的一种新特性——比例差值输出特性，该特性具有谱峰特征，其峰位、峰高与器件的特征参数相关．采用了一个分析模型来表征谱峰与器件特性参数关系，可以直接提取MOS器件...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进，主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用标准的湿法刻蚀工艺研制出了S波段工作的非自对准AlGaAs/GaAs异质结双极晶体管．对于总面积为8×2μm×10μm的HBT器件，测得其直流电流增益大于10，电流增益截止频率fT大于2...
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70. 平面工艺辐射探测器的研制刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 使用高阻Si材料,通过氧化、光刻、注入和退火工艺技术研制粒子探测器——PIN二极管．采取HCl氧化、慢降温等工艺措施可减小PIN二极管的暗电流(反向电流)，这对于提高器件性能起到了关键作用．...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 首次报道了辐照所引起的SOI/MOS器件PD(部分耗尽) 与FD(全耗尽) 过渡区的漂移．基于含总剂量辐照效应的SOI MOSFET统一模型，模拟了FD与PD过渡区随辐照剂量的漂移．讨论了辐...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 分析了目前几种高性能连续时间CMOS电流比较器的优缺点，提出了一种新型CMOS电流比较器电路．它包含一组具有负反馈电阻的CMOS互补放大器、两组电阻负载放大器和两组CMOS反相器．由于CMO...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 分析了PAL及PAL-1电路中输出悬空对电路性能的影响，强调在绝热电路设计中消除悬空输出的重要性．提出了两种新的结构互补且无悬空输出的绝热电路．PSPICE模拟证明它们能有效实现能量恢复，并...
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74. 行波半导体激光放大器电路模型刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 采用激光器多模速率方程，经过适当的数学处理，得到行波半导体激光放大器电路模型．利用这个模型并借助通用电路模拟器，如PSPICE，不仅可以模拟单个放大器的性能，而且可以模拟含有行波放大器的单片...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 根据Hamming神经网络的工作原理提出了一种可用于手写体数字识别的电流型可编程局部结构特征提取电路．该特征提取器的模板不仅是可编程的，它可根据不同的需要来随时更改模板的内容以适应不同的情况...
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76. 300mm硅单晶的生长技术刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年3期页码:摘要： 讨论了300mm硅单晶的工艺控制，分析了拉晶工艺、热屏及磁场对晶体质量的影响。合理的工艺参数是拉制无位错单晶的前提，热屏和磁场的应用有效地控制了晶体的氧含量和微缺陷。
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77. 集成电路芯片上光互连研究的新进展刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 讨论了集成电路向高集成度、高工作频率和高传输速率继续发展时，常规金属互连出现的困难以及集成电路芯片上光互连具有的潜在优势．介绍了组成芯片上光互连的光发射器件、光接收器件和光传输器件等三种基本...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用测量反射谱方法确定了低压金属有机化合物气相外延生长的与GaAs衬底匹配（AlxGa1－x）0.51In0.49P外延材料的折射率．实验中测量的反射谱波长范围为0.5—2.5μm．在拟合实...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 提出了TFSOI RESURF功率器件的表面电场分布和优化设计的新解析模型．根据二维泊松方程的求解，得到了表面电场和电势分布的相关解析表达式．在此基础上，推出了为获得最大击穿电压的优化条件。...
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80. RCE光电探测器顶部DBR的优化刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 对研制的VCSEL结构外延片制成的谐振腔增强型（简称RCE）光电探测器进行了物理分析和实验研究，由于VCSEL与RCE光电探测器对谐振腔反射镜的反射率要求不同，通过腐蚀VCSEL器件顶部DB...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 通过对栅电流和栅电压漂移的测量，证明了均匀FN应力老化后栅氧化层中陷阱呈非均匀分布．不同厚度的栅氧化层产生SILC的机制不尽相同，薄栅以陷阱辅助隧穿为主，类Pool-Frankel机制在厚二...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用乙醇溶液中水解醋酸盐的方法合成了一种稀土掺杂的半导体纳米材料——掺铽的ZnO纳米晶，并对其结构与发光性质进行了研究，结果表明掺铽的ZnO纳米晶为六方纤锌矿结构，纳米颗粒表面有醋酸根络合物...
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83. 蓝光聚合物共混材料的发光特性刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了不同组成PVK和P6共混材料薄膜的光吸收特性和光致发光特性．用不同比例PVK∶P6共混材料为发光层和Alq3为电子传输层合成双层结构的蓝光器件，测量器件的电致发光谱、电流-电压特性和亮...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 利用自动张量低能电子衍射(ATLEED)定量地研究Si（111）-（3×3）R30°-Ga重构表面的原子结构．证实了Ga原子吸附在T4位即第二层Si原子所对的空位上，同时给出了表面最顶层7个...
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85. 非掺杂n型氮化镓外延层的光致发光刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了热处理对非掺杂n型氮化镓外延层光致发光谱的影响和光谱中各发光带强度与温度之间的关系．热处理后，光谱中的带边峰和黄光峰的强度较热处理前都有明显降低．黄光峰强度随温度升高的衰减速度要比带边...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 利用射频辉光放电法，通过周期性交替切换两种耦合电极的方式，制备了μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜．低角度X射线衍射(LAXRD)测试表明，这种多层膜具有良好的周期性结构．观察了上述多层膜的...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 根据加压改进布里奇曼法，采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe(组分x≈0.20）晶体．采用加压技术，平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压，有效地避免了石英安瓶的爆裂；采...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 用分子束外延技术(MBE)生长了以GaAs/AlAs超晶格替代AlxGa1-xAs所形成的P型半导体/超晶格分布布拉格反射镜(DBR)．此分布布拉格反射镜的反射谱中心波长为850nm．由实验...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 研究了顺次淀积在Si(100)衬底上的Ni/Pt和Pt/Ni的固相硅化反应．研究发现，当1nm Pt作为中间层或覆盖层加入Ni/Si体系中时，延缓了NiSi向NiSi2的转变，相变温度提高．...
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刊名： 半导体学报(英文版)发表期刊： 2001年4期页码:摘要： 采用一种新的方法计算双极器件中离子注B硅基区和原位掺B的锗硅基区禁带变窄量．在器件基区的少子迁移率、多子迁移率和方块电阻已知的情况下，应用这种方法只需测量室温和液氮温度下的电学特性就可以获得...
半导体学报(英文版)基本信息
| 刊名 | 半导体学报(英文版) | 主编 | 王守武 |
| 曾用名 | 半导体学报 | ||
| 主办单位 | 中国电子学会和中国科学院半导体研究所 | 主管单位 | 中国科学院 |
| 出版周期 | 月刊 | 语种 |
eng
|
| ISSN | 1674-4926 | CN | 11-5781/TN |
| 邮编 | 100083 | 电子邮箱 | jos@semi.ac.cn |
| 电话 | 010-82304277 | 网址 | www.jos.ac.cn |
| 地址 | 北京912信箱 |
半导体学报(英文版)评价信息
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| 1. | 化学文摘(美) |
| 2. | 中国科学引文数据库 |
| 3. | 日本科学技术振兴机构数据库(日) |
| 4. | 文摘杂志(俄) |
| 5. | 科学文摘(英) |
| 6. | 中国科技论文统计与引文分析数据库 |
期刊荣誉
| 1. | 中科院优秀期刊二等奖（90） |
| 2. | 全国优秀期刊三等奖（92） |
| 3. | 全国优秀期刊三等奖（97） |
半导体学报(英文版)统计分析
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