全电流模型的比例差分特性

• 作者: 杨存宇 许铭真 谭长华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 比例差分算符 Pao-Sah双积分模型 谱峰
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 322-328
• 页数: 7页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 4292字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.016

摘要

用比例差分算符(PDO)方法研究了长沟MOSFET在各个工作区域(亚阈区和饱和区)的比例差分特性．利用PDO方法研究全电流Pao-Sah双积分模型，结果发现源漏电流的比例差分特性在所有的工作区域内都有谱峰特性，其峰值和峰位与MOSFET的电学参数(如有效迁移率、热电势和阈值电压等)直接相关．利用PDO方法可以避免冗繁地计算双积分公式，并可以容易地提取出重要的MOSFET电学参数．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	谭长华	北京大学微电子所	48	99	5.0	7.0
2	许铭真	北京大学微电子所	52	102	5.0	7.0
3	杨存宇	北京大学微电子所	2	0	0.0	0.0