Pt层对Ni/Si(100)固相反应NiSi薄膜高温稳定性的增强效应

• 作者: 屈新萍 李炳宗 茹国平 韩永召
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 热稳定性 金属硅化物 相变
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 451-455
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.54
• 字数: 3682字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.013

摘要

研究了顺次淀积在Si(100)衬底上的Ni/Pt和Pt/Ni的固相硅化反应．研究发现，当1nm Pt作为中间层或覆盖层加入Ni/Si体系中时，延缓了NiSi向NiSi2的转变，相变温度提高．对于这种双层薄膜体系，800℃退火后，XRD测试未检测到NiSi2相存在；850℃退火后的薄膜仍有一些NiSi衍射峰存在．800℃退火后的薄膜呈现较低的电阻率，在23—25μΩ*cm范围．上述薄膜较Ni/Si直接反应生成膜的热稳定性提高了100℃以上．这有利于NiSi薄膜材料在Si基器件制造中的应用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	茹国平	复旦大学电子工程系	21	95	5.0	9.0
2	屈新萍	复旦大学电子工程系	19	84	5.0	8.0
3	李炳宗	复旦大学电子工程系	21	90	5.0	9.0
4	韩永召	复旦大学电子工程系	2	3	1.0	1.0