掺Pt对Si(100)上形成的NiSi薄膜应力的影响

• 作者: Detavernier C Van Meirhaeghe R L 屈新萍 李炳宗 茹国平 蒋玉龙 黄巍
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 硅化镍 镍铂硅化物 应力
• 年，卷（期）: 2007,（5）
• 所属期刊栏目: 研究快报
• 页码范围: 635-639
• 页数: 5页
• 分类号: O482.1
• 字数: 508字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2007.05.001

摘要

利用在线应力测试技术表征了掺入Pt后对镍硅化物薄膜应力性质的影响.通过改变NiSi薄膜中Pt含量以及控制热处理的升温、降温速率实时测量了薄膜应力,发现在Si(100)衬底上生长的纯NiSi薄膜和纯PtSi薄膜的室温应力主要是热应力,且分别为775MPa和1.31GPa,而对于Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜,室温应力则随着Pt含量的增加而逐渐增大.应力随温度变化曲线的分析表明,Ni1-xPtxSi合金硅化物薄膜的应力驰豫温度随Pt含量的增加,从440℃(纯NiSi薄膜)升高到620℃(纯PtSi薄膜).应力驰豫温度的变化影响了最终室温时的应力值.