酸刻蚀处理对Si(100)和Si(111)上制备CVD金刚石膜的影响

• 作者: 余志明 宋玉波 尹登峰 胡应涛 马莉 魏秋平
• 来源期刊: 中南大学学报（自然科学版）
• 学科: 工学
• 关键词: 金刚石薄膜 热丝化学气相沉积 酸刻蚀 硅
• 年，卷（期）: 2011,（3）
• 页码范围: 650-657
• 分类号: TG166.3
• 字数: 5703字
• 语种: 中文

摘要

对Si(100)和Si(111)采用相同的酸刻蚀工艺,采用热丝化学气相沉积法(HFCVD)制备金刚石膜.用扫描电子显微镜、X线衍射仪和X线应力测试仪对样品的形貌、织构及残余应力进行检测、分析.研究结果表明:沉积3 h后,Si(100)和Si(111)基体上均生长出晶形比较完整,呈柱状晶方式生长的金刚石薄膜;此外,Si(100)金刚石膜表面分布着大量的微孔,通过调整沉积工艺可控制微孔的数量和尺寸,而Si(111)金刚石膜表面无微孔出现;2种基体所得薄膜都存在(111)织构,后者Si(111)还有一定的(110)织构;2种基体经酸刻蚀之后制得薄膜均无鼓泡剥离现象,二者的残余应力相差不大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	余志明	中南大学材料科学与工程学院	80	689	15.0	21.0
5	尹登峰	中南大学材料科学与工程学院	45	401	10.0	19.0
6	魏秋平	中南大学材料科学与工程学院	35	149	7.0	9.0
10	马莉	中南大学粉末冶金国家重点实验室	29	165	8.0	12.0
11	宋玉波	中南大学材料科学与工程学院	2	8	1.0	2.0
12	胡应涛	中南大学材料科学与工程学院	1	1	1.0	1.0