加压布里奇曼法生长大直径HgCdTe晶体

• 作者: 介万奇 周尧和 宋炳文 李全保 王跃 韩庆林 马庆华
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 加压布里奇曼法 HgCdTe晶体 二次配料工艺 晶体结构完整性 组分均匀性
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 440-445
• 页数: 6页
• 分类号: TN304.2+5
• 字数: 3066字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.011

摘要

根据加压改进布里奇曼法，采用“二次配料”工艺成功地生长了直径40mm的大直径HgCdTe(组分x≈0.20）晶体．采用加压技术，平衡部分石英安瓶内的高汞蒸汽压，有效地避免了石英安瓶的爆裂；采用“二次配料”工艺，大大降低了生长温度；合理选择温度梯度和生长速度，获得了有较好结晶性和组分均匀性的HgCdTe晶体．分析表明：HgCdTe晶片的载流子浓度n77≤4×1014cm－3，迁移率μ77≥1×105cm2／（V*s），少数载流子寿命值τ≥2.0μs，80K时简单的性能测试用光导探测器件的探测率D为1.1×1010cm*Hz1／2／W．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	介万奇	西北工业大学凝固技术国家重点实验室	272	1636	19.0	27.0
2	宋炳文	昆明物理研究所材料研究室	12	22	3.0	4.0
3	周尧和		74	966	15.0	27.0
4	王跃	昆明物理研究所材料研究室	7	9	2.0	2.0
5	韩庆林	昆明物理研究所材料研究室	13	49	5.0	6.0
6	李全保	昆明物理研究所材料研究室	7	13	3.0	3.0
7	马庆华	昆明物理研究所材料研究室	12	47	4.0	6.0