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摘要:
Cu单晶在中子和X射线单色器及激光核聚变靶材等领域有重要应用前景.本文采用自制的硅钼棒单晶生长炉和特制的镀碳石英生长坩埚,采用垂直布里奇曼法在30 ℃/cm的温度梯度下,以10 mm/d的下降速度生长出较高质量的铜单晶体.生长的晶体经多次研磨抛光腐蚀处理后进行X射线衍射分析和金相分析,显示出(200)晶面尖锐的X射线衍射峰和规则的方形蚀坑,表明生长的晶体结构完整.
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文献信息
篇名 垂直布里奇曼法生长铜单晶体的研究
来源期刊 人工晶体学报 学科 物理学
关键词 单晶生长 垂直布里奇曼法 蚀坑观察
年,卷(期) 2009,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 44-47
页数 4页 分类号 O782
字数 1719字 语种 中文
DOI
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 朱世富 四川大学材料科学系 151 840 14.0 20.0
2 赵北君 四川大学材料科学系 132 744 14.0 19.0
3 何知宇 四川大学材料科学系 69 221 8.0 11.0
4 唐世红 四川大学材料科学系 18 98 5.0 9.0
5 王立苗 四川大学材料科学系 3 21 3.0 3.0
6 肖怀安 四川大学材料科学系 3 13 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
单晶生长
垂直布里奇曼法
蚀坑观察
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
人工晶体学报
月刊
1000-985X
11-2637/O7
16开
北京朝阳区红松园1号中材人工晶体研究院,北京733信箱
1972
chi
出版文献量(篇)
7423
总下载数(次)
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38029
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