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半导体学报(英文版)期刊
出版文献量（篇）
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半导体学报(英文版)

Journal of Semiconductors
曾用名： 半导体学报

CACSCDJSTAJSACSTPCD

影响因子 0.2430
本学报是由中国电子学会主办，中国科学院半导体研究所承办的学术刊物，报道半导体物理学和半导体科学技术领域内最新的科研成果和技术进展，被EI、CA、SA等收录，在中国科学院、国家科委、中共中央宣传部和国家新闻出版署的期刊评比中多次获奖。主要栏目有：研究快报、研究论文、研究简报、技术进展等。
主办单位：
中国电子学会和中国科学院半导体研究所
期刊荣誉：
中科院优秀期刊二等奖（90）  全国优秀期刊三等奖（92）  全国优秀期刊三等奖（97） 
ISSN：
1674-4926
CN：
11-5781/TN
出版周期：
月刊
邮编：
100083
地址：
北京912信箱
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  • 151. GAT型高速高压功率开关管最大集电极电流的仿真
    作者： 亢宝位 吴郁 王哲 程序
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  760-764
    摘要： 针对目前GAT(GateAssociatedTransistor)型高速高压功率开关管中存在的最大集电极电流远小于常规双极功率管这个
  • 152. 超薄栅MOS结构恒压应力下的直接隧穿弛豫谱
    作者： 卫建林 毛凌锋 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  765-769
    摘要： 随着器件尺寸的迅速减小,直接隧穿电流将代替FN电流而成为影响器件可靠性的主要因素.根据比例差值算符理论和弛豫谱技术,针对直接隧穿应力下超薄栅MOS结构提出了一种新的弛豫谱--恒压应力下的直接...
  • 153. 深亚微米MOS器件的热载流子效应
    作者： 刘红侠 孙志 郝跃
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  770-773
    摘要： 对深亚微米器件中热载流子效应(HCE)进行了研究.还研究了沟道热载流子的产生和注入以及与器件工作在高栅压、中栅压和低栅压三种典型的偏置条件的关系.在分析热载流子失效机理的基础上,讨论了热载流...
  • 154. 背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响
    作者： 曾绍洪 李观启 黄美浅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  774-778
    摘要： 研究了低能量背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响.用低能量(550eV)氩离子束轰击n-沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压VT、跨导gm、沟道电导gd和有效迁移率μeff等参...
  • 155. 环境温度、电离辐射剂量率对NMOSFET器件特性参数的影响
    作者： 何宝平 姚育娟 张正选 彭宏论
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  779-783
    摘要： 研究了辐射环境温度、辐射剂量率、退火温度和退火偏置对CC4007NMOS器件阈值电压的影响.研究发现,低温(-30℃)辐照感生的氧化物陷阱电荷比室温(25℃)多,界面态电荷比室温要少;受不同...
  • 156. VCD和DVD用全息光栅衍射效率的分析
    作者： 刘浩 李卉 梁万国 梁恩主 谢敬辉 郑婉华 陈良惠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  784-787
    摘要： 在VCD和DVD中由于使用了全息光学元件,全息光学读出头的元件数量比传统光头的元件数量少.分析了光盘信号探测、聚焦、循迹原理.推出了光栅衍射效率的一般计算公式,并给出了光栅沟槽形状为"方波”...
  • 157. 一种采用新触发器的高速CMOS前置分频器
    作者： 张春晖 李永明 陈弘毅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  788-791
    摘要： 在锁相环设计中,前置双模分频器(DMP)是一个速度瓶颈.文中提出一种新的分析方法,将限制DMP速度的因素分为两个方面,寄存器级限制(RLL)和电路级限制(CLL).指出影响DMP速度的原因在...
  • 158. 10GHz低抖动增益开关DFB激光器
    作者： 娄采云 李玉华 王兆欣 韩明 高以智
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  792-795
    摘要： 采用国产管芯,利用增益开关效应获得了10GHz超短光脉冲.利用自注入的方法,采用最简单的结构,减小了增益开关DFB激光器光脉冲的时间抖动,使10GHz光脉冲的时间抖动小于840fs.研究了光...
  • 159. 一种适用于数字视频编码器的高性能直接数字频率合成器
    作者： 沈泊 章倩苓
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  796-799
    摘要： 提出了一种适用于数字视频编码器的直接数字频率合成器DDFS(DirectDigitalFrequencySynthesizer)新结构.通过采用相位截断噪声整形技术,使所需要的ROM面积下降...
  • 160. 2.5-10Gb/s光发射机驱动电路HEMT IC中器件模型参数
    作者： 吴德馨 高建军 高葆新
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  800-805
    摘要： 对高速调制器驱动电路HEMTIC中器件参数进行了研究,着重讨论了HEMT器件直流参数、交流参数对外调制驱动电路特性的影响,给出了满足电路性能要求的器件参数范围;对2.5-10Gb/sPHEM...
  • 161. 部分耗尽CMOS/SOI工艺
    作者： 刘忠立 刘新宇 吴德馨 和致经 孙海峰 扈焕章 海潮和 陈焕章
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  806-810
    摘要： 对部分耗尽CMOS/SOI工艺进行了研究,成功地开发出成套部分耗尽CMOS/SOI抗辐照工艺.其
  • 162. 多晶硅发射极超高速集成电路工艺
    作者： 倪学文 张利春 王阳元
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年6期
    页码:  811-816
    摘要： 报道了具有先进双极
  • 163. 光电材料多孔硅的多孔度理论计算方程
    作者： 廉德亮 谢国伟
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  817-820
    摘要： 在制备多孔硅材料时,多孔硅的多孔度和厚度与电解电流强度、电解时间以及氢氟酸的浓度有关.如果氢氟酸的浓度保持不变,通过改变电解时间和电解电流强度就可以得到所需多孔硅的多孔度及厚度.但现在一般都...
  • 164. 智能剥离工艺的热动力学模型
    作者： 余金中 韩伟华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  821-825
    摘要： 提出了注氢硅片表面借助键合氧化硅片进行剥离的热动力学模型,这种剥离现象是退火过程中氢离子注入区氢气泡横向增长的结果.氢气泡的增长速率依赖于氢复合体分解和氢分子扩散所需的激活能,氢气泡的半径是...
  • 165. 正向栅控二极管的R-G电流直接表征NMOSFET
    作者： 何进 张兴 黄如 黄爱华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  826-831
    摘要： 使用半导体器件数值分析工具DESSISE-ISE,对正向栅控二极管R-G电流表征NMOSFET沟道pocket或halo注入区进行了详尽的研究.数值分析表明:由于栅控正向二极管界面态R-G电...
  • 166. 强增益耦合DFB激光器单片集成自对准模式变换器
    作者： 刘国利 周帆 张静媛 朱洪亮 汪孝杰 王圩 胡小华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  832-836
    摘要： 提出并成功制作出一种新型的强增益耦合DFB激光器与自对准模式变换器单片集成器件.采用三次外延实现上述器件.采用强增益耦合DFB激光器,获得了高单模成品率和大边模抑制比器件;采用自对准模式变换...
  • 167. 一种微机械光开关的分析和设计
    作者： 李玉璋 贾玉斌 陈良惠
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  837-840
    摘要： 对悬臂梁微机械光开关的机电特性进行了理论分析.利用机械和电学特性,导出了悬臂梁的弯曲量和所加的电压的解析关系,并给出了阈值电压的计算公式.指出外加电压与梁的宽度无关,与梁的长度的平方成反比....
  • 168. 一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET
    作者： 刘英坤 李思渊 梁春广 王长河
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  841-845
    摘要： 采用Si3N4-SiO2双层栅介质及自对准重掺杂浅结P+区研制出了一种抗辐射加固功率器件--VDMNOSFET(垂直双扩散金属-氮化物-氧化物-半导体场效应晶体管).给出了该器件的电离辐射效...
  • 169. 在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用
    作者： 徐万劲 武作兵 邢启江
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  846-852
    摘要： 从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变...
  • 170. 垂直Bridgman生长CdTe过程的数值模拟
    作者： 何力 张小平 方维政 杨建荣 魏彦锋
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  853-859
    摘要： 采用Galerkin有限元算法,计算了垂直Bridgman生长CdTe过程中的温场分布、液体流动和固液界面的形状,分析了生长速率、温区分布等参数对固液界面的影响.计算结果表明,较小的生长速率...
  • 171. 3-6nm超薄SiO2栅介质的特性
    作者： 张兴 张大成 王阳元 田大宇 高文钰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  860-864
    摘要： 采用栅氧化前硅表面在H2SO4/H2O2中形成化学氧化层方法和氮气稀释氧化制备出3.2、4和6nm的SiO2超薄栅介质,并研究了其特性.实验结果表明,恒流应力下3.2和4nm栅介质发生软击穿...
  • 172. CeO2高K栅介质薄膜的制备工艺及其电学性质
    作者： 俞挺 刘晓彦 康晋锋 张朝晖 熊光成 王玮 连贵君 韩汝琦
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  865-870
    摘要： 研究了CeO2作为高K(高介电常数)栅介质薄膜的制备工艺,深入分析了衬底温度、淀积速率、氧分压等工艺条件和利用N离子轰击氮化Si衬底表面工艺对CeO2薄膜的生长及其与Si界面结构特征的影响,...
  • 173. 低剂量SIMOX圆片表层硅缺陷密度
    作者： 林梓鑫 王曦 郑望 陈猛 陈静
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  871-874
    摘要： 用增强化学腐蚀法研究了低剂量SIMOX-SOI材料表层硅质量与实验参数的关系.结果表明,注入剂量和能量对表层硅质量有明显影响.通过对注入剂量和能量的优化,表层硅线缺陷密度可低于104cm-2...
  • 174. 弛豫SiGe衬底上SiGe/Si Ⅱ型量子阱
    作者： 于卓 余金中 成步文 李代宗 王启明 黄昌俊
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  875-880
    摘要： 采用UHV/CVD系统,在Si衬底上生长了具有渐变Si1-xGex缓冲层结构的弛豫Si0.76Ge0.24虚衬底和5个周期的Si0.76Ge0.24/Si多量子阱.在渐变Si1-xGex缓冲...
  • 175. 离子注入氮化薄SiO2栅介质的特性
    作者： 刘忠立 王延峰
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  881-884
    摘要： 研究了通过多晶硅栅注入氮离子氮化10nm薄栅SiO2的特性.实验证明氮化后的薄SiO2栅具有明显的抗硼穿透能力,它在FN应力下的氧化物陷阱电荷产生速率和正向FN应力下的慢态产生速率比常规栅介...
  • 176. GaAs MESFET旁栅迟滞现象与沟道电流数据采集时间的关系
    作者： 丁勇 夏冠群 易茂祥 毛友德 赵建龙 赵福川
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  885-887
    摘要： 采用平面选择注入隔离工艺制作MESFET及旁栅电极,通过改变半导体特性测试仪的延迟时间参数,深入研究了不同沟道电流的数据采集时间对旁栅效应迟滞现象的影响.发现当延迟时间超过2s时,迟滞现象基...
  • 177. 杂质不完全离化对SiC MOSFET的影响
    作者： 尚也淳 张义门 张玉明
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  888-891
    摘要： 在分析SiC中杂质部分离化时,考虑了Frenkel-Pool效应,通过求解SiC MOS表面空间电荷区中的一维Poisson方程,提出了一个新的SiC MOSFET反型层薄层电荷(charg...
  • 178. 利用FN振荡电流测量薄栅MOS结构栅氧化层中隧穿电子的有效质量
    作者： 毛凌锋 许铭真 谭长华
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  892-896
    摘要： 给出了一种利用FN振荡电流的极值,测量电子在薄栅MOS结构的栅氧化层中的平均有效质量方法.利用波的干涉方法来处理电子隧穿势垒的过程,方便地获得了出现极值时外加电压和电子的有效质量之间的分析表...
  • 179. 一种基于物理模型与遗传算法的平面螺旋电感的优化技术
    作者： 李永明 林敏 陈弘毅
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  897-903
    摘要： 针对CMOS RF平面螺旋电感的物理模型,提出了一种使用遗传算法优化电感设计参数的优化技术.应用这种技术,人们无需再通过等Q值线来求取Q值最佳的电感设计方案,因为等Q值线的计算代价很高,而且...
  • 180. 薄二氧化硅MOS电容电离辐射陷阱电荷研究
    作者： 刘忠立
    刊名： 半导体学报(英文版)
    发表期刊： 2001年7期
    页码:  904-907
    摘要： 采用高频C-V曲线方法,研究了50nm及15nm MOS电容电离辐射空穴陷阱及界面态的建立过程.二种样品电离辐射空穴陷阱电荷密度在1×103Gy(Si)剂量下近乎相同,而在大于3×103Gy...

半导体学报(英文版)基本信息

刊名 半导体学报(英文版) 主编 王守武
曾用名 半导体学报
主办单位 中国电子学会和中国科学院半导体研究所  主管单位 中国科学院
出版周期 月刊 语种
eng
ISSN 1674-4926 CN 11-5781/TN
邮编 100083 电子邮箱 jos@semi.ac.cn
电话 010-82304277 网址 www.jos.ac.cn
地址 北京912信箱

半导体学报(英文版)评价信息

该刊被以下数据库收录
期刊荣誉
1. 中科院优秀期刊二等奖（90）
2. 全国优秀期刊三等奖（92）
3. 全国优秀期刊三等奖（97）

半导体学报(英文版)统计分析

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