背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响

• 作者: 曾绍洪 李观启 黄美浅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 背面Ar+轰击 n-MOSFET
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 774-778
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2752字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.021

摘要

研究了低能量背面Ar+轰击对n-沟MOSFET特性的影响.用低能量(550eV)氩离子束轰击n-沟MOSFET芯片的背面,能改善其阈值电压VT、跨导gm、沟道电导gd和有效迁移率μeff等参数.结果表明,随着轰击时间的增加,阈值电压先减小,随后变大;而跨导、沟道电导和有效迁移率先增大,随后减小.实验证明,上述参数的变化是由于界面态密度和固定电荷密度变化的结果.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李观启	华南理工大学应用物理系	20	44	4.0	5.0
2	黄美浅	华南理工大学应用物理系	22	79	4.0	8.0
3	曾绍洪	华南理工大学应用物理系	1	1	1.0	1.0