Ar+轰击SrTiO3表面缺陷的模拟计算方法研究

• 作者: 张万里 曾慧中 王放
• 来源期刊: 电子元件与材料
• 学科: 物理学
• 关键词: 蒙特卡罗模拟 SRIM程序 计算 钛酸锶 氧空位 非晶层
• 年，卷（期）: 2018,（11）
• 所属期刊栏目: 研究与试制
• 页码范围: 51-54,60
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 2430字
• 语种: 中文
• DOI: 10.14106/j.cnki.1001-2028.2018.11.009

摘要

SrTiO3的电学性质严重依赖于氧空位浓度.采用Ar+轰击SrTiO3能使其表面产生氧空位.本文提出了一种基于蒙特卡罗模拟辅助控制离子注入时间的方法,利用SRIM程序模拟Ar+注入SrTiO3,分析了氧空位的分布情况,再通过迭代计算研究氧空位浓度随时间的变化趋势.通过此算法得出时间与非晶化层的关系,从而辅助实验上控制离子注入的时间.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张万里	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	142	705	13.0	17.0
2	曾慧中	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	15	50	4.0	6.0
3	王放	电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室	1	0	0.0	0.0