在InGaAsP/InP双异质结构中的光弹效应及其对侧向光的限制作用

• 作者: 徐万劲 武作兵 邢启江
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: WNi/半导体接触 光弹效应 InGaAsP/InP双异质结构 平面型波导器件
• 年，卷（期）: 2001,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 846-852
• 页数: 6页
• 分类号: TN252
• 字数: 2477字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.07.007

摘要

从理论上计算了厚度为110nm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条在InGaAsP/InP双异质结构中形成的应力场分布,及由应力场分布引起的折射率变化.在W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下半导体中0.2-2μm深度范围内,由应变引起条形波导轴中央的介电常数ε相应增加2.3×10-1-2.2×10-2(2μm应变条宽)和1.2×10-1-4.1×10-2(4μm应变条宽).同时,测量了由W0.95Ni0.05金属薄膜应变条所形成的InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构导波的近场光模分布.从理论计算和实验结果两方面证实了InGaAsP/InP双异质结光弹效应波导结构对侧向光具有良好的限制作用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	武作兵	中国科学院力学研究所	2	2	1.0	1.0
2	邢启江	北京大学物理系	6	9	2.0	2.0
3	徐万劲	北京大学物理系	9	351	2.0	9.0