等离子诱导QWI对InP/InGaAsP结构的影响

• 作者: 赵建宜 郭剑 马卫东 黄晓东
• 来源期刊: 光通信研究
• 学科: 工学
• 关键词: 光子集成 量子阱混杂 多量子阱
• 年，卷（期）: 2012,（5）
• 所属期刊栏目: 光电器件研究与应用
• 页码范围: 37-39,49
• 分类号: TN256
• 字数: 2471字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-8788.2012.05.012

摘要

为了比较简单地在同一外延片上得到具有不同带隙结构的有源器件与无源器件的PIC(光子集成电路)和OEIC(光电子集成电路),采用等离子诱导QWI(量子阱混杂)与RTA(快速热退火)技术获得了InP/InGaAsP结构材料的带隙蓝移,其中通过在材料表面沉积不同占空比的SiO2灰度掩膜来灵活控制带隙偏移量.实验中这种方法在基片上获得了5种带隙波长,其中最大波长偏移为75 nm,实验结果说明这种技术是实现PIC和OEIC的有效手段,特别是在多带隙结构中具有广阔的应用前景.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	马卫东		7	18	3.0	4.0
5	郭剑		1	1	1.0	1.0
9	赵建宜		3	6	2.0	2.0
13	黄晓东		3	6	2.0	2.0