光弹效应在光电子器件中的应用

• 作者: 孙锴 徐万劲 王爱民 袁志军 邢启江 高文胜
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: WNi/半导体接触 光弹效应 光弹波导结构 平面型光弹光电子器件
• 年，卷（期）: 2002,（z1）
• 所属期刊栏目: 发光和光探测器件
• 页码范围: 1-6
• 页数: 6页
• 分类号: TN3
• 字数: 2949字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.z1.001

摘要

在直流负偏压120V作用下利用射频溅射和光刻剥离技术在InGaAsP/InP双异质结结构外延片表面淀积110nm厚、宽为2μm的W0.95Ni0.05金属薄膜应变条. 实验测得W0.95Ni0.05金属薄膜应变条边缘单位长度产生9.7×105dyn/cm压应变力.在这样压应变力作用下,W0.95Ni0.05金属薄膜应变条下InGaAsP/InP 双异质结结构内0.2～2μm深度范围内形成的条形波导的导波强度为1.5×10-3至1.7 ×10-1.与由W和SiO2应变薄膜所形成的光弹波导及其光弹光电子器件相比较,由W 0.95Ni0.05金属薄膜应变条形成的光弹效应波导结构在平面型光电子器件中有着更重要的实际应用.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	袁志军	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
2	高文胜	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	2	7	2.0	2.0
3	邢启江	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	6	9	2.0	2.0
4	徐万劲	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	9	351	2.0	9.0
5	孙锴	北京大学物理学院人工微结构和介观物理国家重点实验室	1	2	1.0	1.0