超高速双层多晶硅发射极晶体管及电路

• 作者: 倪学文 叶红飞 宁宝俊 张利春 张广勤 罗葵 莫邦燹 赵宝瑛 金海岩 高玉芝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 双层多晶硅 复合介质L型侧墙
• 年，卷（期）: 2001,（3）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 345-349
• 页数: 5页
• 分类号: TN405
• 字数: 3927字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.03.020

摘要

报道了双层多晶硅发射极超高速晶体管及电路的工艺研究．这种结构是在单层多晶硅发射极晶体管工艺基础上进行了多项改进，主要集中在第一层多晶硅的垂直刻蚀和基区、发射区之间的氧化硅、氮化硅复合介质的L型侧墙形成技术方面，它有效地减小了器件的基区面积．测试结果表明，晶体管有良好的交直流特性．在发射区面积为3μm×8μm时，晶体管的截止频率为6.1GHz．19级环振平均门延迟小于40ps，硅微波静态二分频器的工作频率为3.2GHz．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	莫邦燹	北京大学微电子学研究所	19	111	6.0	10.0
2	倪学文	北京大学微电子学研究所	15	60	5.0	7.0
3	宁宝俊	北京大学微电子学研究所	15	100	5.0	9.0
4	赵宝瑛	北京大学微电子学研究所	13	80	5.0	8.0
5	张利春	北京大学微电子学研究所	18	48	4.0	5.0
6	张广勤	北京大学微电子学研究所	4	4	2.0	2.0
7	高玉芝	北京大学微电子学研究所	12	38	4.0	5.0
8	金海岩	北京大学微电子学研究所	12	32	4.0	5.0
9	叶红飞	北京大学微电子学研究所	8	29	3.0	5.0
10	罗葵	北京大学微电子学研究所	4	12	2.0	3.0