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摘要:
在简要分析多晶硅发射极双极晶体管特点的基础上,根据国内现有的双极工艺水平,设计了用于制备多晶硅发射极双极晶体管的工艺流程,并给出了一个最小尺寸晶体管的版图,最后对设计的多晶硅发射极晶体管的频率特性进行了模拟.
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文献信息
篇名 多晶硅发射极双极晶体管的工艺设计及计算机模拟
来源期刊 电子器件 学科 物理学
关键词 多晶硅发射极 双极晶体管 双极工艺
年,卷(期) 2002,(1) 所属期刊栏目
研究方向 页码范围 97-100
页数 4页 分类号 O48
字数 2895字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1005-9490.2002.01.023
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 吴金 东南大学微电子中心 47 437 13.0 19.0
2 刘其贵 东南大学微电子中心 14 123 5.0 11.0
3 魏同立 东南大学微电子中心 87 942 17.0 26.0
4 何林 3 20 2.0 3.0
5 郑娥 2 20 2.0 2.0
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研究主题发展历程
节点文献
多晶硅发射极
双极晶体管
双极工艺
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
电子器件
双月刊
1005-9490
32-1416/TN
大16开
南京市四牌楼2号
1978
chi
出版文献量(篇)
5460
总下载数(次)
21
总被引数(次)
27643
论文1v1指导