掺砷多晶硅发射极RCA晶体管

• 作者: 叶红飞 宁宝俊 张利春 金雪林 高玉芝
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: RCA晶体管 多晶硅发射极 掺砷
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 697-704
• 页数: 8页
• 分类号: TN322+.8
• 字数: 6479字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.014

摘要

研究了掺砷多晶硅发射极RCA晶体管的工艺实验技术.以先进多晶硅发射极器件制备工艺为基础,在淀积发射极多晶硅之前,用RCA氧化的方法制备了一层超薄氧化层,并采用氮气快速热退火的方法处理RCA氧化层,制备出可用于低温超高速双极集成电路的掺砷多晶硅发射极RCA晶体管.晶体管的电流增益在-55-+125℃温度范围内的变化率小于15%,而且速度快,发射区尺寸为4×10μm2的RCA晶体管其特征频率可达3.3GHz.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	宁宝俊	北京大学微电子学研究所	15	100	5.0	9.0
2	张利春	北京大学微电子学研究所	18	48	4.0	5.0
3	高玉芝	北京大学微电子学研究所	12	38	4.0	5.0
4	叶红飞	北京大学微电子学研究所	8	29	3.0	5.0
5	金雪林	北京大学微电子学研究所	1	2	1.0	1.0