亚微米双层多晶硅自对准双极晶体管性能研究

• 作者: 张志勇 海潮和
• 来源期刊: 电子与封装
• 学科: 工学
• 关键词: 多晶硅发射极 双层多晶硅自对准(DPSA) 原位掺杂
• 年，卷（期）: 2005,（9）
• 所属期刊栏目: 电路设计与制造
• 页码范围: 29-33
• 页数: 5页
• 分类号: T322+.8
• 字数: 2795字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1681-1070.2005.09.008

摘要

本文采用亚微米工艺和自对准技术制作了发射区宽度分别为0.8μm和0.4μm的两种双层多晶硅自对准双极晶体管.其中采用的是深沟和LOCOS两种隔离联合的隔离方法;EB间自对准是通过均匀的高质量的SiNx侧墙实现的,EB结击穿电压高达4.5V;窄的发射区使得发射极多晶硅在发射区窗口严重堆积,引起了双极晶体管的电流增益增大,同时也降低了管子的速度.工艺和器件模拟显示,发射极多晶硅采用原位掺杂技术,双极晶体管的性能得到了很大的改善.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张志勇	中科院微电子中心	1	0	0.0	0.0
2	海潮和	中科院微电子中心	1	0	0.0	0.0