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摘要:
通过仿真与实验设计出了一种高性能的双层多晶硅自对准PNP晶体管工艺流程,分析了关键工艺技术,器件性能达到fT=8.5 GHz,β=60,BVCEO=8 V.该工艺与已有的双层多晶硅自对准NPN晶体管工艺相兼容,可用于制造高性能的互补双极电路.
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带间隧穿效应
泄漏区
硅PNP型大功率达林顿晶体管
达林顿晶体管
PNP
大功率
工艺流程
一种新型双多晶自对准结构的高压功率SiGe HBT
SiGe HBT
图形外延
自对准
高压
内容分析
关键词云
关键词热度
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文献信息
篇名 一种适用于互补双极技术的双层多晶硅自对准PNP晶体管的设计
来源期刊 重庆邮电大学学报(自然科学版) 学科 工学
关键词 双层多晶硅 自对准 PNP 互补双极
年,卷(期) 2007,(6) 所属期刊栏目 通信与电子
研究方向 页码范围 669-673
页数 5页 分类号 TN710.2
字数 3285字 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1673-825X.2007.06.006
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 李荣强 10 52 3.0 7.0
3 曾鹏 2 4 1.0 2.0
7 谢正旺 2 1 1.0 1.0
传播情况
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引文网络
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1989(2)
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  • 二级参考文献(0)
2007(0)
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研究主题发展历程
节点文献
双层多晶硅
自对准
PNP
互补双极
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
重庆邮电大学学报(自然科学版)
双月刊
1673-825X
50-1181/N
大16开
重庆南岸区
78-77
1988
chi
出版文献量(篇)
3229
总下载数(次)
12
总被引数(次)
19476
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