两种集成高频CMOS多谐压控振荡器

• 作者: 张春晖 李永明 陈弘毅
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 琐相环 CMOS振荡器 相位噪声 特征尺寸
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 491-495
• 页数: 5页
• 分类号: TN386
• 字数: 2555字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.021

摘要

提出了两种压控振荡器，一种为差分形式，另一种为压控环结构．采用CSMC公司0.6μm标准CMOS工艺进行模拟，后仿真的结果显示，压控环结构的最高频率达到2GHz，在5V电源下的功耗为7.5mW．对压控振荡器的实现方法进行了分析比较，总结了高性能压控振荡器应具备的条件，并讨论了特定工艺下压控振荡器的极限频率．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈弘毅	清华大学微电子学研究所	88	919	19.0	27.0
2	李永明	清华大学微电子学研究所	48	635	15.0	24.0
3	张春晖	清华大学微电子学研究所	6	25	2.0	5.0