集成MOS力敏运放压力传感器

• 作者: 刘理天 岳瑞峰 李志坚
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 集成压力传感器 力敏运算放大器 压阻效应
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 500-502
• 页数: 3页
• 分类号: TP212.1
• 字数: 1415字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.023

摘要

设计并制作出一种新型集成压力传感器——集成MOS力敏运放压力传感器．它将运算放大器中的一对PMOS差分输入管集中设置在N型(100)Si膜片上的最大应力区，并使它们的沟道方向相互垂直，运放中其它元件全部集中设置在厚体硅上的低应力区．在压力作用下，输入级MOS 管沟道中载流子迁移率发生变化，运算放大器以其为输入信号而产生力敏输出．这种压力传感器具有很高的压力响应灵敏度，可望在诸多领域有广泛应用．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	岳瑞峰	清华大学微电子学研究所	67	379	11.0	15.0
2	刘理天	清华大学微电子学研究所	230	1519	19.0	23.0
3	李志坚	清华大学微电子学研究所	84	451	11.0	15.0