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摘要:
提出用CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载.HSPICE模拟结果表明,在负载电容为基本栅电容的100倍及6000倍时,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力,且占有面积小.从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题.该电路结构简单,易于实现,且制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容.
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文献信息
篇名 CMOS源极跟随缓冲电路
来源期刊 半导体学报 学科 工学
关键词 源极跟随器 缓冲电路 CMOS
年,卷(期) 2001,(4) 所属期刊栏目 研究论文
研究方向 页码范围 469-475
页数 7页 分类号 TN386
字数 2989字 语种 中文
DOI 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.017
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 高勇 西安理工大学自动化与信息工程学院 189 1184 15.0 26.0
2 余宁梅 西安理工大学自动化与信息工程学院 97 476 11.0 15.0
3 陈治明 西安理工大学自动化与信息工程学院 83 498 11.0 18.0
4 杨安 西安理工大学自动化与信息工程学院 3 8 1.0 2.0
传播情况
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2001(0)
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研究主题发展历程
节点文献
源极跟随器
缓冲电路
CMOS
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
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期刊影响力
半导体学报(英文版)
月刊
1674-4926
11-5781/TN
大16开
北京912信箱
2-184
1980
eng
出版文献量(篇)
6983
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8
总被引数(次)
35317
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