CMOS源极跟随缓冲电路

• 作者: 余宁梅 杨安 陈治明 高勇
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 源极跟随器 缓冲电路 CMOS
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 469-475
• 页数: 7页
• 分类号: TN386
• 字数: 2989字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.04.017

摘要

提出用CMOS源极跟随缓冲电路以较少的电路段数快速驱动大电容负载．HSPICE模拟结果表明，在负载电容为基本栅电容的100倍及6000倍时,CMOS源极跟随缓冲电路具有高于多段倒相器缓冲电路的负载驱动能力，且占有面积小．从而较好地解决了高速驱动芯片内各种数据传输及外部负载的问题．该电路结构简单，易于实现，且制作工艺与标准CMOS工艺完全兼容．

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	高勇	西安理工大学自动化与信息工程学院	189	1184	15.0	26.0
2	余宁梅	西安理工大学自动化与信息工程学院	97	476	11.0	15.0
3	陈治明	西安理工大学自动化与信息工程学院	83	498	11.0	18.0
4	杨安	西安理工大学自动化与信息工程学院	3	8	1.0	2.0