一种采用Bi-CMOS缓冲器的LDO电路设计

• 作者: 张亚南 解光军
• 来源期刊: 科技与创新
• 关键词: 稳压器 密勒补偿 缓冲器 反馈网络
• 年，卷（期）: 2008,（35）
• 所属期刊栏目: 电子设计
• 页码范围: 294-295
• 页数: 2页
• 分类号: TN432
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1008-0570.2008.35.121

摘要

在分析传统LDO稳压器稳定性的基础上,提出一种新式电路结构.经HJTC 0.18umBi-CMOS工艺仿真验证,结果表明该电路显著提高LDO的频率稳定性,增益达到100dB左右,在负载电流从0-50mA变化时,输出电压变化为0.037V,最大负载电流为50mA时的电流效率为99.97%.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	解光军	合肥工业大学理学院	101	626	13.0	20.0
2	张亚南	合肥工业大学理学院	2	2	1.0	1.0