原文服务方: 现代电子技术       
摘要:
采用CSMC 0.5μm 40 V工艺和Spectrum仿真平台,设计一款应用于电压保护芯片的LDO(Low Dropout)低压差线性稳压电路.该电路选择PMOS结构的调整管,不需要增加额外的电荷泵电路来驱动;采用带隙基准电压源结构,在1 kHz频率下,电源电压抑制比(PSRR)为-67.32 dB,在1 MHz频率下为-33.71 dB;在误差放大器设计中引入频率补偿,改善了稳压器的线性调整率性能.仿真结果表明,常温下当输入电压从1.6 V变化到6.6 V时,输出电压稳定在1.258 V左右,温度系数为31.38 ppm,在100 kΩ负载下显示出良好的稳压性能.
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内容分析
关键词云
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文献信息
篇名 一种LDO线性稳压电路设计
来源期刊 现代电子技术 学科
关键词 低压差 线性稳压电路 高电源抑制比 电荷泵电路
年,卷(期) 2010,(6) 所属期刊栏目 集成电路设计
研究方向 页码范围 16-18,28
页数 4页 分类号 TP274
字数 语种 中文
DOI 10.3969/j.issn.1004-373X.2010.06.005
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 程军 24 117 6.0 9.0
2 杨维明 湖北大学物理学与电子技术学院 76 244 9.0 11.0
3 周民 湖北大学物理学与电子技术学院 16 44 4.0 6.0
4 邬小林 湖北大学物理学与电子技术学院 3 13 2.0 3.0
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研究主题发展历程
节点文献
低压差
线性稳压电路
高电源抑制比
电荷泵电路
研究起点
研究来源
研究分支
研究去脉
引文网络交叉学科
相关学者/机构
期刊影响力
现代电子技术
半月刊
1004-373X
61-1224/TN
大16开
1977-01-01
chi
出版文献量(篇)
23937
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135074
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