InGaN光致发光性质与温度的关系

• 作者: 万寿科 刘祥林 樊志军 王占国
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN 变温 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 569-572
• 页数: 4页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 2356字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.008

摘要

分析了用金属有机物气相外延方法(MOVPE)在蓝宝石衬底上生长的铟镓氮(InGaN)的光致发光(PL)性质.发现在4.7K至300K范围内，随着温度升高，InGaN带边辐射向低能方向移动，峰值变化基本符合Varshni经验公式；同时InGaN发光强度虽有所衰减，但比GaN衰减程度小，分析了导致GaN和InGaN光致发光减弱的可能因素.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	刘祥林	中国科学院半导体研究所	19	103	5.0	9.0
2	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
3	樊志军	中国科学院半导体研究所	2	13	1.0	2.0
4	万寿科	中国科学院半导体研究所	1	13	1.0	1.0