InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱

• 作者: 丁晓民 张国义 杨志坚 秦志新 童玉珍 陈志忠
• 来源期刊: 发光学报
• 学科: 工学
• 关键词: InGaN InN分凝 InN量子点 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（z1）
• 所属期刊栏目: 研究报告
• 页码范围: 38-42
• 页数: 5页
• 分类号: TN312.8
• 字数: 1515字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-7032.2001.z1.010

摘要

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈志忠	北京大学物理系	12	173	5.0	12.0
2	张国义	北京大学物理系	49	229	9.0	13.0
3	童玉珍	北京大学物理系	16	63	5.0	7.0
4	杨志坚	北京大学物理系	11	156	4.0	11.0
5	秦志新	北京大学物理系	5	7	2.0	2.0
6	丁晓民	北京大学物理系	5	23	2.0	4.0