刻划的富硅二氧化硅／p-Si结构的光致发光和电致发光

• 作者: 孙永科 宗婉华 崔晓明 张伯蕊 秦国刚 马振昌
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 磁控溅射 光致发光 电致发光 高斯峰 密度缺陷区 发光中心 吸除作用
• 年，卷（期）: 2001,（5）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 573-579
• 页数: 7页
• 分类号: TN383
• 字数: 5727字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.05.009

摘要

以磁控溅射方法于p-Si上淀积富硅二氧化硅，形成富硅二氧化硅／p-Si结构，用金刚刀在其正面刻划出方形网格后在N2气氛中退火，其光致发光(PL)谱与未刻划的经同样条件退火的对比样品的PL谱有很大不同.未刻划样品的PL谱只有一个峰，位于840nm(1.48eV)，而刻划样品的PL谱是双峰结构，峰位分别位于630nm(1.97eV)和840nm.800℃退火的刻划富硅二氧化硅/p-Si样品在背面蒸铝制成欧姆接触和正面蒸上半透明金电极后在正向偏压10V下的电致发光(EL)强度约为同样制备的未经刻划样品在同样测试条件下的EL强度的6倍.EL谱形状也有明显不同，表现在：未经刻划样品的EL谱可以分解为两个高斯峰，峰位分别位于1.83eV和2.23eV；而在刻划样品EL谱中1.83eV发光峰大幅度增强，还产生了一个新的能量为3.0eV的发光峰.认为刻划造成的高密度缺陷区为氧化硅提供了新的发光中心并对其中某些杂质起了吸除作用，导致PL和EL光谱改变.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙永科	北京大学物理系	3	11	2.0	3.0
2	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
3	马振昌		5	27	3.0	5.0
4	宗婉华		3	11	2.0	3.0
5	张伯蕊	北京大学物理系	11	70	4.0	8.0
6	崔晓明	北京大学物理系	2	8	1.0	2.0