硅、锗和氩离子注入富硅二氧化硅的电致发光

• 作者: 乔永平 吴德馨 孙永科 宗婉华 张伯蕊 王艳兵 秦国刚 陈文台 马振昌 龚义元
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 硅基发光 电致发光 发光中心 纳米硅(锗) 量子限制 离子注入
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 667-672
• 页数: 6页
• 分类号: TN383
• 字数: 4423字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2000.07.008

摘要

将Si、Ge和Ar三种离子注入到磁控溅射制备的富硅二氧化硅和热生长的二氧化硅中,在N2气氛中,作550、650、750、850、950和1050℃退火后,进行电致发光研究.对比样品为退火条件相同的未经注入的上述两种二氧化硅.对于离子注入情况,只观察到Au/1050℃退火的离子注入的富硅二氧化硅/p-Si的电致发光.低于1050℃退火的离子注入富硅二氧化硅和上述各种温度下退火的热生长二氧化硅,无论离子注入与否,都未观察到电致发光.Au/未注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光光谱在1.8eV处出现主峰,在2.4eV处还有一肩峰.在Au/Si注入富硅二氧化硅/p-Si的电致发光谱中,上述两峰的强度分别增加了2倍和8倍;在Au/Ge注入不大,但都观测到峰位位于2.2eV的新发光峰.采用隧穿-量子限制-发光中心模型对实验结果进行了分析和解释.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	孙永科	北京大学物理系	3	11	2.0	3.0
2	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
3	马振昌		5	27	3.0	5.0
4	宗婉华		3	11	2.0	3.0
5	吴德馨	中国科学院微电子中心	58	345	11.0	14.0
6	张伯蕊	北京大学物理系	11	70	4.0	8.0
7	乔永平	北京大学物理系	8	27	3.0	5.0
8	王艳兵	北京大学物理系	2	4	1.0	2.0
9	陈文台	中国科学院微电子中心	1	4	1.0	1.0
10	龚义元	中国科学院微电子中心	1	4	1.0	1.0