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摘要:
利用等离子体增强化学气相沉积法制备了镶嵌于氮化硅的高密度纳米硅薄膜,并以此作为发光有源层构建基于p-Si/氮化硅基发光层/AZO结构发光二极管,在室温下观察到了电致可见发光。在此基础上,在器件p-Si空穴注入层与氮化硅基发光层之间加入纳米硅薄层作为空穴阻挡层,研究器件电致发光性质,实验结果表明器件的发光强度显著增强,并且发光效率较无纳米硅阻挡层的发光器件提高了80%以上。
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文献信息
篇名 基于纳米硅结构的氮化硅基发光器件电致发光特性研究
来源期刊 物理学报 学科
关键词 纳米硅 氮化硅 电致发光
年,卷(期) 2014,(3) 所属期刊栏目 凝聚物质:结构、力学和热学性质
研究方向 页码范围 037801-1-037801-5
页数 1页 分类号
字数 语种 中文
DOI 10.7498/aps.63.037801
五维指标
作者信息
序号 姓名 单位 发文数 被引次数 H指数 G指数
1 黄新堂 华中师范大学纳米科技研究院 38 209 9.0 13.0
2 宋超 韩山师范学院物理与电子工程系 7 11 2.0 3.0
3 王祥 韩山师范学院物理与电子工程系 9 14 2.0 3.0
4 郭艳青 韩山师范学院物理与电子工程系 9 12 2.0 3.0
5 张毅 华中师范大学纳米科技研究院 40 733 13.0 26.0
6 林圳旭 华中师范大学纳米科技研究院 1 6 1.0 1.0
7 林泽文 华中师范大学纳米科技研究院 1 6 1.0 1.0
8 黄锐 华中师范大学纳米科技研究院 1 6 1.0 1.0
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研究主题发展历程
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纳米硅
氮化硅
电致发光
研究起点
研究来源
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研究去脉
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相关学者/机构
期刊影响力
物理学报
半月刊
1000-3290
11-1958/O4
大16开
北京603信箱
2-425
1933
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