纳米硅对掺铒氧化硅电致发光的增强作用

• 作者: 冉广照 吴正龙 宗婉华 戴伦 秦国刚 袁放成 陈源 马振昌
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 工学
• 关键词: Er3+ 氧化硅 纳米硅 电致发光
• 年，卷（期）: 2002,（z1）
• 所属期刊栏目: 光电子物理
• 页码范围: 69-75
• 页数: 7页
• 分类号: TN
• 字数: 4736字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1001-9014.2002.z1.018

摘要

用磁控溅射法在n+-Si衬底上淀积掺铒的富硅氧化硅(SiO2∶Si∶Er)薄膜,并制备了Au/SiO2∶Si∶Er/n+-Si发光二极管,观测到这种发光二极管的1.54μm电致发光强度是在掺铒二氧化硅薄膜上以同样方法制备的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管的8倍.在n+-Si衬底上淀积了纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)三明治结构,其硅层厚度以0.2 nm为间隔从1.0nm变化到4.0nm.在室温下观察到了Au/纳米(SiO2∶Er/Si/SiO2∶Er)/n+-Si发光二极管的电致发光,其电致发光谱可分解成峰位和半高宽都固定的3个高斯峰,峰位分别为0.757eV(1.64μm)、0.806eV(1.54μm)和0.860eV(1.44μm),半高宽分别为0.052、0.045和0.055eV,其中1.54μm峰来源于Er3+发光.当硅层厚度为1.6nm时,3个峰的强度都达到最大,分别是没有硅层的Au/SiO2∶Er/n+-Si发光二极管相应3个峰的22、7.9和6.7倍.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	秦国刚	北京大学物理系	20	128	6.0	10.0
2	吴正龙	北京师范大学测试中心	41	276	7.0	15.0
3	陈源	北京大学物理系	12	78	4.0	8.0
4	冉广照	北京大学物理系	10	19	2.0	4.0
5	戴伦	北京大学物理系	6	9	2.0	2.0
6	袁放成	北京大学物理系	2	14	1.0	2.0
7	马振昌	河北半导体研究所砷化镓集成电路国家实验室	2	5	1.0	2.0
8	宗婉华	河北半导体研究所砷化镓集成电路国家实验室	2	5	1.0	2.0