掺铒氢化非晶氧化硅1.54μm发光性质的研究

• 作者: 常勇 梁建军 王占国 王永谦 陈维德
• 来源期刊: 物理学报
• 学科: 物理学
• 关键词: 铒 光致发光 氧含量
• 年，卷（期）: 2000,（7）
• 所属期刊栏目: 凝聚物质:电子结构、电学、磁学和光学性质
• 页码范围: 1386-1389
• 页数: 4页
• 分类号: O4
• 字数: 3342字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:1000-3290.2000.07.035

摘要

采用等离子体增强化学汽相沉积技术生长不同氧含量的氢化非晶氧化硅薄膜(a-SiOx:H),离子注入铒及退火后在室温观察到很强的光致发光.当材料中氧硅含量比约为1和1.76时,分别对应77K和室温测量时最强的1.54μm光致发光.从15到250K的变温实验显示出三个不同的强度与温度变化关系,表明氢化非晶氧化硅中铒离子的能量激发和发光是一个复杂的过程.提出氢化非晶氧化硅薄膜中发光铒离子来自于富氧区,并对实验现象进行了解释.氢化非晶氧化硅中铒发光的温度淬灭效应很弱.从15到250K,光致发光强度减弱约1/2.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陈维德	中国科学院半导体研究所	12	35	4.0	5.0
5	王占国	中国科学院半导体研究所	101	701	15.0	23.0
6	王永谦	中国科学院半导体研究所	9	59	5.0	7.0
10	梁建军	中国科学院半导体研究所	5	14	2.0	3.0