掺铒纳米硅的选择激发光荧光研究

• 作者: 戴兵 罗向东
• 来源期刊: 南京航空航天大学学报(英文版)
• 学科: 物理学
• 关键词: 纳米硅 铒 选择激发光荧光 共振
• 年，卷（期）: 2008,（4）
• 页码范围: 318-323
• 页数: 6页
• 分类号: O433.4
• 字数: 2230字
• 语种: 英文
• DOI: 10.3969/j.issn.1005-1120.2008.04.012

摘要

通过选择激发光荧光技术研究了生长在SiO2中的掺铒纳米硅(nc-Si:Er)的光学性质.当激发光光子能量高于1 519 eV时,nc-Si:Er的室温光荧光谱上能够看到两个清晰的发光峰,一个来自nc-Si,峰值位置在1 39 eV,标记为Enc-Si;另一个发光来自nc-Si附近的Er离子,峰值位置在0 81 eV,标记为EEr.当激发光的光子能量为1 42 eV时,尽管该能量高于Enc-Si和EEr的峰值能量,在nc-Si:Er的室温光荧光谱上既看不到Enc-Si的发光峰,也看不到EEr的发光峰.研究发现,当激发光光子能量与Er离子的一些激发态能量共振时,来自Er离子的荧光峰(EEr)出现共振增强现象,同时来自nc-Si的荧光峰峰值强度则有一定程度的降低.结果表明,nc-Si:Er中的共振增强现象是由于共振激发增强了载流子从nc-Si向临近的Er离子传输过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗向东	南通大学江苏省专用集成电路设计重点实验室	38	119	7.0	9.0
2	戴兵	南通大学理学院	25	118	7.0	9.0