掺铒硅基纳米发光薄膜的形成过程与性能研究

• 作者: 张通和 徐飞 程国安 肖志松 顾岚岚
• 来源期刊: 北京师范大学学报(自然科学版)
• 学科: 工学
• 关键词: 铒 纳米硅 离子注入 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（4）
• 页码范围: 482-487
• 页数: 6页
• 分类号: TN305.3
• 字数: 3829字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0476-0301.2001.04.011

摘要

采用MEVVA离子源强束流离子注入机,将稀土Er离子注入单晶硅、Si和Er离子双注入单晶硅及热氧化硅,Er在硅基薄膜中的掺杂原子分数可达10%, 即数密度约1021cm-3;注入态样品快速退火后有纳米晶Si形成;77K和室温时用441.6nm光激发有Er3+较强的1.54μm特征光发射.探讨了在硅基材料中高浓度Er掺杂薄膜中纳米结构的形成与Er3+的光致发光性能.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张通和		49	1052	11.0	32.0
2	程国安	南昌大学材料科学与工程系	17	202	5.0	14.0
3	徐飞		22	43	3.0	6.0
4	肖志松		8	10	2.0	2.0
5	顾岚岚		8	42	4.0	6.0