MOVPE生长GaxAlyIn1-x-yN的准热力学模型

• 作者: 段树坤 陆大成
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: GaAlInN MOVPE 热力学 Ⅲ族氮化物
• 年，卷（期）: 2001,（6）
• 页码范围: 677-683
• 页数: 7页
• 分类号: TN304.55
• 字数: 1138字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.06.001

摘要

提出一个以TMGa、TMAl、TMIn和NH3为源,用MOVPE方法生长GaxAlyIn1-x-yN四元合金的准热力学模型.该模型假设四元合金是由氨和Ⅲ族元素之间反应合成的,其特点是考虑了NH3的分解效率,并用N、H、Ga、Al及In的摩尔分数代替惯用的分压来表示质量守衡方程.计算了各种生长条件对于与GaN晶格匹配的GaxAlyIn1-x-yN四元合金与注入反应室的Ⅲ族金属有机化合物之间关系的影响.计算表明,几乎所有达到生长表面的Al和Ga都并入到GaxAlyIn1-x-yN四元合金中,而In则富集在气相.为增强铟的并入,应采用低的生长温度,高的Ⅴ/Ⅲ比,氮载气而且须要设法降低到达生长界面前氨的分解.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	陆大成	中国科学院半导体研究所半导体材料科学实验室	13	45	4.0	6.0
2	段树坤	中国科学院半导体研究所	2	0	0.0	0.0