一种新的梳状基区RF功率晶体管

• 作者: 周蓉 张庆中 胡思福
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 梳状基区 散热 雪崩击穿 功率管
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 页码范围: 1197-1201
• 页数: 5页
• 分类号: TN323|TN305.94
• 字数: 2408字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.022

摘要

给出一种新的RF功率器件结构-梳状基区结构.在不增加本征集电结面积的情况下,该结构能显著改善RF功率晶体管散热特性,增大器件的耗散功率和输出功率,较好地缓解了传统结构中高工作频率与大输出功率之间的矛盾.模拟分析表明,采用该结构,器件的雪崩击穿电压能提高到理想平行平面结的90%以上,器件的大电流特性和频率特性也有所改进.采用该技术制作的试验样管DCT375同传统结构器件相比,其热电特性得到显著的改善.这种结构为新型超高频、微波大功率管的研制开辟了新途径.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	张庆中	电子科技大学微电子科学与工程系	16	73	4.0	8.0
2	周蓉	电子科技大学微电子科学与工程系	6	10	2.0	3.0
3	胡思福	电子科技大学微电子科学与工程系	6	10	2.0	3.0