用Columnar模型对电子空穴对复合逃逸产额的模拟计算

• 作者: 姜景和 张正选 王桂珍 罗尹虹
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: 复合模型 逃逸产额 阻止本领 Columnar模型
• 年，卷（期）: 2001,（9）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1135-1138
• 页数: 4页
• 分类号: TN386.1
• 字数: 2969字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.09.010

摘要

用一种比较简单的Jaffe近似方法计算了质子在SiO2中的电子空穴对的逃逸率,讨论了辐照偏置、电场、质子入射角度、质子能量等对逃逸产额的影响.得到了电子空穴对复合逃逸率与质子能量、电场成正比的结果.计算结果与实验结果的比较,说明了Jaffe近似方法可以比较正确地描述质子在二氧化硅中的总剂量效应.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	罗尹虹		54	199	8.0	10.0
2	张正选		21	88	5.0	8.0
3	姜景和		18	78	6.0	7.0
4	王桂珍		32	156	7.0	9.0