高能A一辐照P型CdZnTe的电学特性和光致发光

• 作者: 侯明东 方家熊 李向阳 裴慧元
• 来源期刊: 半导体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CdZnTe 电学特性 光致发光
• 年，卷（期）: 2001,（11）
• 所属期刊栏目: 研究论文
• 页码范围: 1392-1396
• 页数: 5页
• 分类号: TN304.2+6
• 字数: 3373字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3321/j.issn:0253-4177.2001.11.008

摘要

采用能量2GeV、剂量1010-1013cm-2的Ar+辐照P型Cd096Zno.04Te材料,对辐照前后和不同辐照剂量的样品进行了电学测试和光致发光研究.实验结果和分析表明,Ar+辐照在Cd.6Zn004Te中产生了更大密度的受主型缺陷和散射中心,引起材料载流子(空穴)浓度的增大和迁移率的降低.随着辐照剂量的增大,载流子迁移率的降低要比载流子浓度增大得快,导致材料电阻随辐照剂量增大而增大.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	李向阳	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	110	438	10.0	14.0
2	方家熊	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	39	184	7.0	11.0
3	侯明东	中国科学院近代物理研究所	41	177	7.0	12.0
4	裴慧元	中国科学院上海技术物理研究所传感技术国家重点实验室	4	2	1.0	1.0