磁光—光致发光分析CdZnTe单晶带边浅杂质能级

• 作者: 朱亮 杨建荣 盛锋锋 祁镇 邵军 陈熙仁
• 来源期刊: 红外与毫米波学报
• 学科: 物理学
• 关键词: CdZnTe单晶 磁光光致发光光谱 应力 轻空穴
• 年，卷（期）: 2017,（5）
• 页码范围: 589-593
• 页数: 5页
• 分类号: O474
• 字数: 3377字
• 语种: 中文
• DOI: 10.11972/j.issn.1001-9014.2017.05.013

摘要

通过对Bridgeman方法生长的CdZnTe单晶样品进行光致发光(Photoluminescence,PL)光谱测量,发现CdZnTe样品表面Te沉淀物的存在明显影响能量低于1.5 eV的深能级发光过程.进一步对CdZnTe晶锭的不同位置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不合Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.置取样进行低温变磁场光致发光光谱测试,获得高分辨光谱信息.拟合分析结果表明:(1)在不合Te沉淀物的CdZnTe样品内部存在应力分布,并因此导致轻、重空穴带分裂;(2)1.57 eV发光特征源于浅施主杂质与价带间的复合过程.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	杨建荣	中国科学院上海技术物理研究所红外材器中心	38	175	7.0	11.0
2	朱亮	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	21	107	5.0	10.0
3	盛锋锋	中国科学院上海技术物理研究所红外材器中心	3	6	1.0	2.0
4	陈熙仁	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	3	0	0.0	0.0
5	邵军	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	6	18	2.0	4.0
6	祁镇	中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室	1	0	0.0	0.0