CdZnTe晶体的缺陷能级分析

• 作者: 唐世红 朱世富 李含东 王瑞林 赵北君 韦永林 高德友 魏昭荣
• 来源期刊: 人工晶体学报
• 学科: 工学
• 关键词: CZT单晶体 I-T特性曲线 激活能 探测器 缺陷能级
• 年，卷（期）: 2004,（2）
• 页码范围: 189-191
• 页数: 3页
• 分类号: TN307
• 字数: 1794字
• 语种: 中文
• DOI: 10.3969/j.issn.1000-985X.2004.02.014

摘要

通过测试富Cd原料无籽晶垂直布里奇曼法生长出的高阻Cd0.8Zn0.2Te (CZT)单晶体的I-T特性曲线,利用热激活能原理来分析单晶体内的缺陷,结果得到晶体中有一个由镉空位引起的电子陷阱,其深度为0.539eV.由于俘获能级有较高的激活能,在常温下,价带上的载流子不会被激发,所以该晶体适用于制作室温核辐射探测器.另外还研究了CZT晶体在室温下的I-V特性,测得采用该方法生长的CZT单晶体电阻率高达5.0×1010Ω*cm,制作的核辐射探测器在室温下获得了比较好的241Am 59.5keV能谱.

作者信息

序号	姓名	单位	发文数	被引次数	H指数	G指数
1	朱世富	四川大学材料科学系	151	840	14.0	20.0
2	赵北君	四川大学材料科学系	132	744	14.0	19.0
3	王瑞林	四川大学材料科学系	46	277	9.0	15.0
4	韦永林	四川大学材料科学系	6	105	4.0	6.0
5	高德友	四川大学材料科学系	13	135	6.0	11.0
6	魏昭荣	四川大学材料科学系	6	53	4.0	6.0
7	李含东	四川大学材料科学系	1	6	1.0	1.0
8	唐世红	四川大学材料科学系	18	98	5.0	9.0